[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

基板，其具有相对的第一表面与第二表面、及多个贯穿该第一表面与该第二表面的导电通孔；

绝缘层，其形成于该基板的第一表面上，并外露出该多个导电通孔的端部；

第一缓冲层，其为第一缓冲环以形成于该多个导电通孔的端部周缘的该绝缘层上；以及

第二缓冲层，其为第二缓冲环以形成于该绝缘层上，以包围形成于该多个导电通孔的端部周缘的该绝缘层上的该第一缓冲层，且该第二缓冲层未形成于该多个导电通孔的端部之间的该绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括多个导电凸块，其形成于该多个导电通孔的端部上及该多个端部周缘的该第一缓冲层上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括至少一半导体组件，其嵌埋于该基板内，并具有闸极、二闸极侧壁、源极区及汲极区，该二闸极侧壁分别形成于该闸极的两侧，该源极区及该汲极区分别连接该二闸极侧壁。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括至少二导电体，其形成于该基板内，并分别将该源极区及该汲极区电性连接至该导电通孔。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括凸块底下金属层，其形成于该多个导电通孔的端部上及该多个端部周缘的该第一缓冲层上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括线路重布层，其形成于该绝缘层上、该多个导电通孔的端部上及该多个端部周缘的该第一缓冲层上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括凸块底下金属层，其形成于该线路重布层上。

8.根据权利要求5或7所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括多个导电凸块，其形成于该凸块底下金属层上。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括凸块底下金属层，其形成于该多个导电通孔的端部上，并形成于该绝缘层与该多个端部周缘的该第一缓冲层之间，且该第一缓冲层外露出该凸块底下金属层的一部分。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括多个导电凸块，其形成于该第一缓冲层及该凸块底下金属层的外露表面上。

11.一种半导体装置，其包括：

基板，其具有相对的第一表面与第二表面、及多个贯穿该第一表面与该第二表面的导电通孔；

绝缘层，其形成于该基板的第一表面上，并外露出该多个导电通孔的端部；

线路重布层，其形成于该多个导电通孔的端部及该绝缘层上；

介电层，其形成于该绝缘层与该线路重布层上，并具有外露出该线路重布层的一部分的介电层开孔；

第一缓冲层，其为第一缓冲环以形成于该介电层开孔周缘的介电层上；以及

第二缓冲层，其为第二缓冲环以形成于该绝缘层上，以包围形成于该介电层开孔周缘的介电层上的该第一缓冲层，且该第二缓冲层未形成于该多个导电通孔的端部之间的该绝缘层上。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括凸块底下金属层，其形成于该线路重布层的外露表面上及形成于该第一缓冲层与介电层之间，且该第一缓冲层外露出该凸块底下金属层的一部分。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括多个导电凸块，其形成于该第一缓冲层及该凸块底下金属层的外露表面上。