[发明专利]一种提高相控硅基液晶器件响应速度的方法

权利要求书

1.一种提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，包括：

步骤S101，确定调整步长m；

步骤S102，根据相控硅基液晶器件的厚度和工作温度，结合调整步长m，确定不同的响应区间；

步骤S103，选择各个响应区间内响应速度变化最快的一个响应区间作为相控变换的工作区间。

2.如权利要求1所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，各响应区间分别为：（0,2π），（m,2π+m），（2m,2π+2m），……，（nm,2π+nm），其中，器件厚度d=2π+nm。

3.如权利要求1或2所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，在步骤S103之后，还包括：

把驱动电压增加到最大负载电压Vmax，完成最大电压驱动过程；

将驱动电压降至目标相位值，即目标电压值Vi；此时器件需要的时间为t_{d_i}；t_{d_i}是从最大电压到灰度等级为i时的响应时间，其中i=0，1，2，……，255；得到最后的相位延迟。

4.如权利要求3所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，在把驱动电压增加到最大负载电压Vmax之前，还包括：

进行直流平衡处理，使硅基液晶器件中加载于液晶材料上的交变电场对称。

5.如权利要求4所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，在负载电压由最大负载电压向目标电压值降低时，增加一个或多个中间电压值，负载电压由最大负载电压先降到中间电压值，再降至目标电压值；同时，在驱动电压的方波电压波形的波形前沿和后沿增加预定中间值，减小稳定状态时的相位摆动。

6.如权利要求4或5所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，硅基液晶器件的CMOS背板中，像素尺寸的大小在1微米到20微米之间，单元像素的形状为长方形或者正方形。

7.如权利要求4或5所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，硅基液晶器件的液晶材料为向列型液晶材料、蓝相液晶材料或胆固醇型液晶材料。

8.如权利要求7所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，硅基液晶器件的取向层由高分子聚合物组成的，取向层的摩擦方式是与液晶分子的方向矢量垂直；当液晶材料应用于电控性双折射率的结构中时，取向层的初始摩擦角为2°；当液晶材料应用于光学补偿结构的器件中时，取向层的初始摩擦角不小于8°。

9.如权利要求4或5所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，硅基液晶器件的驱动电压为正弦波脉冲、三角波脉冲或者方形波脉冲。

10.如权利要求8所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，在模拟电路驱动下的相控LCOS器件，最大电压为7V，灰度级从0至255。

11.如权利要求8所述的提高相控硅基液晶器件响应速度的方法，其特征在于，最大负载电压Vmax为灰度值为255或189所对应的负载电压值。