[发明专利]一种功率器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310086257.9 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839805B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 吴振兴;朱阳军;田晓丽;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/324;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 制备 方法 | ||
1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在N+型衬底的上表面淀积N型掺杂的非晶硅薄膜层，形成N型的非晶硅场截止层，经高温退火后，通过外延方法在所述N型的非晶硅场截止层上形成N-外延层，然后在所述N-外延层的上表面形成SiO2薄膜层；
在所述SiO2薄膜层的上表面曝光出环状区域，形成终端的保护环结构；
在终端截止环上曝光出最外围的环状区域，然后进行N+型离子注入和退火，形成终端区；
对所述功率器件的有源区进行曝光，然后进行P型硼注入和退火，形成P型层；
在所述P型层的正面蒸发金属，形成金属层，经刻蚀，将所述有源区的金属与所述终端区的金属场板隔断，在所述金属层上覆盖氮化硅层，经刻蚀后，形成钝化层；
将所述N+型衬底的背面减薄，形成欧姆接触，在所述N+型衬底的背面蒸发金属薄膜层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N+型衬底的厚度为300-500um。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述淀积N型掺杂的非晶硅薄膜层的方法为离子增强型化学气相。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型的非晶硅场截止层的厚度为10-30um，所述N型的非晶硅场截止层的掺杂浓度1e13/cm3-5e13/cm3。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温退火的温度为300℃-400℃，所述高温退火的时间为0.5h-1h。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N-外延层的晶体硅材料的厚度为50um-100um。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述环状区域通过P+型离子注入和退火，形成所述终端的保护环结构，其中，P+离子注入剂量为1e14-1e16cm-2,所述退火的温度1000℃-1200℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N+型离子注入的剂量为1e14-1e16cm-2,所述退火温度为800℃-950℃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型硼注入的剂量为1e12-1e14cm-2,所述退火温度为1150℃-1200℃。
10.根据权利要求1-9中任一所述的方法，其特征在于，所述金属层的金属为铝，所述金属层的厚度为2-4um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
