[发明专利]一种促进产气荚膜梭菌高产外毒素的培养基及其培养方法和其应用无效
申请号: | 201310086236.7 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN103160555A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 熊媛媛;蒋玉文;漆世华;黄涛;郑佳;朱薇;谢红玲;温文生 | 申请(专利权)人: | 武汉中博生物股份有限公司 |
主分类号: | C12P21/00 | 分类号: | C12P21/00;C07K14/33;A61K39/08;A61K38/16;A61P31/04;A61P1/00;A61P1/12;C12R1/145 |
代理公司: | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 430070*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 促进 荚膜 高产 毒素 培养基 及其 培养 方法 应用 | ||
1.一种促进产气荚膜梭菌高产外毒素的培养基,所述培养基由下述重量份的成分组成:牛肉浸粉18-30重量份,大豆蛋白胨6-15重量份,葡萄糖4-8重量份,NaCl3-6重量份,加水至1000重量份,优选所述培养基由下述重量份的成分组成:牛肉浸粉25重量份,大豆蛋白胨10重量份,葡萄糖5重量份,NaCl5重量份,加水至1000重量份。
2.根据权利要求1所述的培养基,所述培养基的pH值为7.0-8.5,优选pH值为7.5-8.0。
3.根据权利要求1-2任一项所述的培养基,所述的产气荚膜梭菌选自A型产气荚膜梭菌、B型产气荚膜梭菌、C型产气荚膜梭菌、D型产气荚膜梭菌、E型产气荚膜梭菌的任一种或其组合,优选为C型产气荚膜梭菌。
4.一种促进产气荚膜梭菌高产外毒素的培养方法,包括下述步骤:
1)一级种子的培养:将产气荚膜梭菌接种于血平板,在33-37℃下培养16-24h,制得产气荚膜梭菌的一级种子;
2)二级种子的培养:从产气荚膜梭菌的一级种子培养物中挑取有双层溶血环的单菌落,将其接种于培养基中,在33-37℃下培养16-18h,制得产气荚膜梭菌的二级种子;
3)发酵培养:按照70%(v/v)在发酵罐中加入培养基,以培养基体积计,加入0.1%(v/v)的消泡剂,高压灭菌,将培养基降至35℃±3℃,再按1%-3%(v/v)的接种量接种产气荚膜梭菌的二级种子,在33-37℃下和pH6.5-8.0下培养5-7h,制得产气荚膜梭菌的发酵培养物,优选在116℃高压蒸汽灭菌30min;
其中,所述培养基由下述重量份的成分组成:牛肉浸粉18-30重量份,大豆蛋白胨6-15重量份,葡萄糖4-8重量份,NaCl3-6重量份,加水至1000重量份,优选所述培养基由下述重量份的成分组成:牛肉浸粉25重量份,大豆蛋白胨10重量份,葡萄糖5重量份,NaCl5重量份,加水至1000重量份。
5.根据权利要求4所述的培养方法,所述产气荚膜梭菌的培养方法选自厌氧培养、静置培养、静置厌氧培养的任一种或其组合。
6.根据权利要求4-5任一项所述的培养方法,发酵培养中采用氨水调节其pH值,优选pH值为7.0-7.4。
7.根据权利要求4-6任一项所述的培养方法,所述培养基的pH值为7.0-8.5,优选pH值为7.5-8.0。
8.根据权利要求4-7任一项所述的培养方法,发酵培养温度为35-36℃。
9.根据权利要求4-8任一项所述的培养方法,所述的产气荚膜梭菌选自A型产气荚膜梭菌、B型产气荚膜梭菌、C型产气荚膜梭菌、D型产气荚膜梭菌、E型产气荚膜梭菌的任一种或其组合,优选为C型产气荚膜梭菌。
10.一种产气荚膜梭菌外毒素提取物,由下述方法制备得到:将权利要求4-9任一项制得的产气荚膜梭菌的发酵培养物在4℃条件下14800g离心,取上清,即得。
11.一种产气荚膜梭菌外毒素提取物的制备方法,包括下述步骤:将将权利要求4-9任一项制得的产气荚膜梭菌的发酵培养物在4℃条件下14800g离心,取上清,即得。
12.权利要求4-11任一项制得的产气荚膜梭菌外毒素或其提取物用于预防由产气荚膜梭菌引起的相关疾病的药物或疫苗中的应用,优选所述产气荚膜梭菌外毒素或其提取物经灭活脱毒制成的类毒素用于预防由产气荚膜梭菌引起的相关疾病的药物或疫苗中的应用,所述的相关疾病选自仔猪红痢、鸡坏死性肠炎、兔出血性下痢、羔羊痢疾、羊肠毒血症、牛肠毒血症、人气性坏疽、食物中毒的任一种或其组合。
13.一种外毒素提取物的灭活脱毒方法,包括下述步骤:在37℃条件下,在权利要求10所述的外毒素提取物中加入甲醛,混合均匀,使其终浓度为0.4%-0.5%,放置,即得,优选放置3-8日,更优选放置3-5日。
14.一种产气荚膜梭菌类毒素疫苗,所述的疫苗由类毒素液与20%氢氧化铝胶按体积比为5:1均匀混合而成。
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