[发明专利]一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201310086221.0 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839992A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;田晓丽;张文亮;卢烁今;张杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 ti igbt 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种功率器件—TI-IGBT，其特征在于：是将VDMOS、IGBT及FRD三种器件结构集成为一体，正面结构包括漂移区、栅氧、发射区、将发射区和漂移区隔开的基区、重掺杂区、微穿通区、及三个引出端；所述三个引出端为集电极、发射极和栅极；所述栅极连接发射区和漂移区，栅极通过栅氧与半导体区域绝缘；所述发射区的下面被基区包围，所述重掺杂区设置在发射区的中央区域，所述发射极连接发射区和重掺杂区；背面结构包括集电区和短路区，所述集电区和短路区之间引出集电极。
2.根据权利要求1所述的功率器件—TI-IGBT，其特征在于：所述集电区和短路区相间分布、或集电区中镶嵌短路区、或短路区中镶嵌集电区。
3.根据权利要求1所述的功率器件—TI-IGBT，其特征在于：所述集电区和短路区形状为圆形、椭圆形或矩形。
4.根据权利要求1所述的功率器件—TI-IGBT，其特征在于：所述集电区和短路区的面积比在10%-50%的范围内。
5.权利要求1所述的功率器件—TI-IGBT的制备方法，其特征在于：完成器件的正面结构后，先通过两次光刻，分别刻出集电区窗口或短路区窗口，然后分别注入N型掺杂或P型掺杂后退火形成短路区或集电区，最后背面金属化。
6.权利要求1所述的功率器件—TI-IGBT的制备方法，其特征在于：完成器件的正面结构后，先整体注入P型掺杂或N型掺杂，然后掩膜，光刻掉部分区域的Si至杂质射程外的深度后，再注入N型掺杂或P型掺杂后退火形成短路区或集电区，最后背面金属化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司，未经中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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