[发明专利]功率MOSFET及其形成方法

权利要求书

1.一种用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：

提供具有环绕第一区域的多个绝缘区的衬底，其中，所述第一区域从所述衬底的顶面延伸到所述衬底中，所述第一区域具有第一导电类型并具有第一杂质浓度；

在所述第一区域上方沉积栅极介电材料并使所述栅极介电材料与所述第一区域接触；

在所述栅极介电材料上方沉积栅电极材料并使所述栅电极材料与所述栅极介电材料接触；

去除所述栅极介电材料的第一部分和所述栅电极材料的第一部分，以暴露所述第一区域的第一部分；

在所述第一区域的第一部分内形成第二区域，所述第二区域具有所述第一导电类型并具有第二杂质浓度；

通过去除所述栅极介电材料的第二部分和所述栅电极材料的第二部分暴露所述第一区域的第二部分，在所述第一区域上方形成栅极电介质和栅电极；

在所述第一区域的第二部分内形成第一漂移区，其中，所述第一漂移区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且所述第一漂移区具有第三杂质浓度；

在所述第一区域内形成第二漂移区，其中，所述第二漂移区具有所述第二导电类型并且具有所述第三杂质浓度，所述第二漂移区位于所述栅电极下方、邻近所述第一漂移区、其深度小于所述第一漂移区的深度，并且所述第一漂移区和所述第二漂移区一起形成阶梯状；

邻近所述第一漂移区的所述第二漂移区的边缘与所述栅电极的边缘对准；

在所述第二区域内形成所述第二导电类型的源极区；以及

在所述第一漂移区内形成所述第二导电类型的漏极区。

2.根据权利要求1所述的用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，其中，形成所述第一漂移区和形成所述第二漂移区同时进行，并且所述第二漂移区的深度、所述栅极电介质的深度以及所述栅电极的深度的总和具有与所述第一漂移区的深度相同的值。

3.根据权利要求1所述的用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，进一步包括：

在所述第一区域上方沉积所述栅极介电材料之前，在所述第一区域内形成第三区域，其中，所述第三区域具有所述第二导电类型并且具有第四杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，进一步包括：

在所述第二区域内并且紧邻所述源极区形成所述第一导电类型的拾取区。

5.根据权利要求1所述的用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，进一步包括：

形成介电层，所述介电层包括位于所述第一漂移区上方并与所述第一漂移区接触的第一部分和位于所述栅电极上方并与所述栅电极接触的第二部分；以及

形成位于所述介电层上方并与所述介电层接触的导电场板，所述场板包括位于所述介电层的第一部分上方并与所述介电层的第一部分接触的第一部分以及位于所述介电层的第二部分上方并与所述介电层的第二部分接触的第二部分。