[发明专利]一种LED封装方法及结构在审
申请号: | 201310084203.9 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN103137833A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 陈勘慧;许常青 | 申请(专利权)人: | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 封装 方法 结构 | ||
1.一种LED封装方法,包括以下步骤:
提供支架并在支架上形成金属层,所述支架上设有LED芯片,所述金属层形成于所述LED芯片的外围;
提供透镜并在透镜上形成金属层,所述透镜上的金属层与支架的金属层的位置相应;
安放透镜于支架上并使支架与透镜的金属层发生共晶反应从而将透镜与支架结合为一体。
2.根据权利要求1所述的LED封装方法,其特征在于:所述支架上的金属层为金锡合金、金、或银。
3.根据权利要求1所述的LED封装方法,其特征在于:所述透镜上的金属层为金锡合金、锡、或科瓦合金。
4.根据权利要求3所述的LED封装方法,其特征在于:所述透镜上的金属层为金锡合金,共晶反应时的温度为280-320℃,时间为40±10s。
5.根据权利要求3所述的LED封装方法,其特征在于:所述透镜上的金属层为锡,共晶反应时的温度为260-280℃,时间为10s。
6.根据权利要求3所述的LED封装方法,其特征在于:所述透镜上的金属层为科瓦合金,共晶反应时的温度为800℃左右,时间为50s。
7.根据权利要求1所述的LED封装方法,其特征在于:在将透镜安放于支架上之前,还包括于所述支架的金属层位置处涂覆助焊剂。
8.根据权利要求1所述的LED封装方法,其特征在于:所述金属层通过电镀或蒸镀方式形成于支架以及透镜上。
9.一种LED结构,包括支架、LED芯片、以及透镜,所述支架上形成有电路,所述LED芯片固定于支架上并与支架上的电路电性连接,其特征在于:所述透镜罩设于LED芯片上并与支架相连接,所述支架与透镜的连接处形成有共晶合金层,将透镜与支架不可拆卸地连接为一体。
10.根据权利要求9所述的LED结构,其特征在于:所述支架上形成有碗杯,所述碗杯环设于LED芯片的外围,所述碗杯的顶部形成有内低外高的台阶,所述共晶合金层位于透镜与支架的碗杯顶部的内侧之间。
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