[发明专利]一种充电器防反接电路和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及电源领域，尤其涉及一种充电器防反接电路和电子设备。

背景技术

反接是指电源适配器正负极接反的情况，一般防止反接的办法是在电路中加二极管，利用二极管的单向导电的特性而抑制反向电流的流过，但是采用这种方法时，二极管上会有压降的损耗，该损耗会随着电流的增加而增大，在电流较大的电路中，有可能会因为压降太大而造成电路处于欠压的情况。

现有技术中，通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护，这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A，选取额定管压降为0.7V二极管，那么功耗至少也要达到2A×0.7V＝1.4W，这种反接电路效率低，功耗大。另外还可以用二极管桥对输入做整流，这样电路就永远有正确的极性。这些方案的缺点是，二极管上的压降会消耗能量，在输入电流额定值为2A和选取的二极管的管压降为0.7V时，功耗为2×2A×0.7V＝2.8W，同样存在着功耗过大的问题。

因此，现有的防反接电路存在压降大、损耗大和电路的效率低的问题。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种充电器防反接电路和电子设备。可解决现有技术中防反接电路存在压降大、损耗大和电路的效率低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种充电器防反接电路，包括：

包括三极管Q1、可控硅Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4，其中，

所述三极管Q1的发射极与电压输入端的正极相连，该三极管Q1的发射极与所述第三电阻R3的一端连接；

所述三极管Q1的基极分别与所述第三电阻R3的另一端和所述第四电阻R4的一端连接；

所述三极管Q1的集电极与所述第一电阻R1的一端连接；

所述可控硅Q2的控制极分别与所述第一电阻R1的另一端和所述第二电阻R2的一端连接；

所述可控硅Q2的K极分别与所述第二电阻R2的另一端和电压输入端的负极连接；

所述可控硅Q2的A极分别与所述第四电阻R4的另一端和大地连接；

电压输出端的正极与电压输入端的正极连接，所述电压输出端的负极接地。

其中，还包括一个发光二极管D1，所述发光二极管D1的阴极与所述三极管Q1的发射极连接，该发光二极管D1的阳极与所述电压输入端的正极连接。

其中，所述可控硅Q2为双向可控硅。

其中，所述三极管Q1为MOS金属氧化物半导体场效应管。

其中，所述第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相等。

其中，所述可控硅Q2带有一个金属散热片，该可控硅和金属散热片之间的间隙使用散热膏填充。

相应地，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括上述的防反接电路。

其中，所述防反接电路的元器件被单独固定在一块线路板上。

其中，所述防反接电路的元器件的表面被喷涂有一层三防漆。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：

实施本发明的实施例，利用三级管的截止和导通功能，使得电压输出端的电池在反接时无电压输出，从而保护了电池的损坏，提高了电池的使用寿命，同时，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例的一种充电器防反接电路的电路图；

图2是本发明实施例的一种充电器防反接电路的装配示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参见图1，为本发明实施例的一种充电器防反接电路的电路图（以下简称防反接电路），该防反接电路包括：