[发明专利]一种充电器防反接电路和电子设备无效

专利信息
申请号: 201310082787.6 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN104052029A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 周明杰;管伟芳 申请(专利权)人: 深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18;H02H11/00
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 充电器 反接 电路 电子设备
【权利要求书】:

1.一种充电器防反接电路,其特征在于,包括三极管Q1、可控硅Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4,其中,

所述三极管Q1的发射极与电压输入端的正极相连,该三极管Q1的发射极与所述第三电阻R3的一端连接;

所述三极管Q1基极分别与所述第三电阻R3的另一端和所述第四电阻R4的一端连接;

所述三极管Q1的集电极与所述第一电阻R1的一端连接;

所述可控硅Q2的控制极分别与所述第一电阻R1的另一端和所述第二电阻R2的一端连接;

所述可控硅Q2的K极分别与所述第二电阻R2的另一端和电压输入端的负极连接;

所述可控硅Q2的A极分别与所述第四电阻R4的另一端和地线连接;

电压输出端的正极与电压输入端的正极连接,所述电压输出端的负极接地。

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,还包括一个发光二极管D1,所述发光二极管D1的阴极与所述三极管Q1的发射极连接,该发光二极管D1的阳极与所述电压输入端的正极连接。

3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述可控硅Q2为双向可控硅。

4.如权利要求1-3任一项所述的电路,其特征在于,所述三极管Q1为MOS金属氧化物半导体场效应管。

5.如权利要求4所述的电路,其特征在于,所述第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相等。

6.如权利要求5所述的电路,其特征在于,所述可控硅Q2带有一个金属散热片,该可控硅和金属散热片之间的间隙使用散热膏填充。

7.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的防反接电路。

8.如权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述防反接电路的元器件被单独固定在一块线路板上。

9.如权利要求8所述的电子设备,其特征在于,所述防反接电路的元器件的表面被喷涂有一层三防漆。

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