[发明专利]形成大马士革铜金属层的方法无效
| 申请号： | 201310082041.5 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103151303A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 大马士革 金属 方法 | ||
1.一种形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
于一半导体结构衬底上从下至上顺序依次沉积刻蚀停止层、介电质层、硬掩膜层和介质抗反射层；
采用光刻、刻蚀工艺，回蚀所述介质抗反射层至所述半导体结构衬底的上表面，形成大马士革沟槽；
沉积阻挡层覆盖所述大马士革沟槽的底部及其侧壁；
电镀金属充满所述大马士革沟槽并覆盖所述阻挡层的上表面，形成金属层；
采用平坦化工艺去除部分所述金属层至剩余的硬掩膜层的上表面后，去除所述剩余的硬掩膜层，形成金属互联结构。
2.根据权利要求1所述的形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，所述介质抗反射层于所述刻蚀工艺中被完全去除，且所述阻挡层还覆盖剩余的硬掩膜层上表面。
3.根据权利要求1所述的形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，所述半导体结构衬底为具有底层器件结构的硅片。
4.根据权利要求1所述的形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材质为氮化硅或掺氮碳化硅。
5.根据权利要求1所述的形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，所述介电质层的材质为二氧化硅或掺碳二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为非晶体碳，且采用灰化工艺去除所述剩余的硬掩膜层。
7.根据权利要求1所述的形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氮化钽或钽。
8.根据权利要求1所述的形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，所述金属为铜。
9.根据权利要求1所述的形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。
10.根据权利要求1所述的形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的硬度大于所述金属层的硬度，且所述硬掩膜层的杨氏模量大于所述金属层的杨氏模量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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