[发明专利]一种含Ga笼状化合物的制备方法有效
| 申请号： | 201310080321.2 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103114215A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 韦玉平;刘丽华;栗峰;李阳;杨善武;曹国辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;C01B33/00;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ga 化合物 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种含Ga笼状化合物的制备方法，该方法具体包括以下步骤；
（1）按照预合成的含Ga化合物的分子式，以高纯单质元素为原料，除Ga外，均按名义成分称量，Ga元素称量为名义成分的2~4倍；
（2）将上述原料单质元素加入电弧炉内，抽真空至10-3Pa以下后充入氩气作为保护气体，开启电弧，进行冶炼；
（3）将冶炼后所得合金敲碎，于研钵中进行充分研磨，备用；
（4）SPS烧结：根据SPS系统模具的尺寸和样品的密度，选取适量的上述步骤制备得到的合金粉末，在温度为780~800℃，压力为25~35MPa的条件下，烧结4~6min；
（5）将烧结压坯取出，剥离表面包裹的石墨纸，并打磨表面，以去除石墨扩散层；
（6）对打磨后块材进行X射线衍射分析，与预合成的笼状化合物标准pdf卡片进行对比，若仍有杂相，重复步骤（3）~（5）过程，得到单相含Ga笼状化合物。
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