[发明专利]晶圆边缘保护装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆边缘保护装置，尤指一种应用于一用于氮化镓半导体元件及电路制程的感应耦合电浆离子蚀刻机台内的晶圆边缘保护装置。

背景技术

感应耦合电浆离子蚀刻(inductively coupled plasma reactive ion etch)方法常应用于化合物半导体晶片的制程中，蚀刻时须先将化合物半导体晶圆固定于一作为晶圆载具的晶座上，再将晶圆连同晶座固定于蚀刻机台内进行蚀刻。现有技术中用于固定晶圆及晶座的夹具通常为一爪型晶圆夹具，此爪型晶圆夹具一般具有六个或八个指型物，以环绕方式排列，用于固定半导体晶圆及晶座；由于进行化合物半导体晶片背面导孔蚀刻时须使用较高偏压功率，因此常在蚀刻过程中造成晶片边缘损坏，使产品合格率无法提高，承载半导体晶圆的晶座也会因其边缘曝露于电浆中而受到损坏而须时常更换而增加生产成本。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种晶圆边缘保护装置，用于半导体晶圆电浆离子蚀刻制程中，使半导体晶圆的边缘不易受损，晶座在蚀刻过程中能免受蚀刻物质的破坏，因此能提高产品的合格率，并能延长晶座的使用寿命以节省制程成本。

为达上述目的，本发明提供一种晶圆边缘保护装置，其安装于一感应耦合电浆离子蚀刻机台内，前述晶圆边缘保护装置具有一环形夹持部，其中前述环形夹持部具有一第一内直径以及一第二内直径，覆盖一半导体晶圆及一晶座的边缘，用于夹持前述半导体晶圆及晶座，并保护前述半导体晶圆及晶座的边缘在蚀刻过程中不受损坏。

于实施时，前述第一内直径介于40mm至200mm之间。

于实施时，前述第二内直径介于50mm至1000mm之间。

于实施时，前述环形夹持部以陶瓷材料制成。

于实施时，前述晶圆是一化合物半导体氮化镓(GaN)晶圆，其尺寸介于50mm至200mm之间

于实施时，前述化合物半导体氮化镓晶圆固定于一尺寸介于50mm至200mm间的晶座。

于实施时，前述供固定氮化镓晶圆的晶座以蓝宝石(sapphire)材料基板、玻璃材料基板或碳化硅材料基板制作。

与现有技术相比较，本发明具有的有益效果是：本发明提供的晶圆边缘保护装置确实可达到预期的目的，于电浆离子蚀刻制程中保护晶圆及晶座边缘，因此能提高产品的合格率，并能延长晶座的使用寿命，进而节省制程成本。其确具产业利用的价值。

附图说明

图1A、图1B、图1C是本发明所提供的晶圆边缘保护装置的一实施例的示意图与局部截面放大图。

附图标记说明：10-感应耦合电浆离子蚀刻机台；100-晶圆边缘保护装置；101-环形夹持部；102-第一内直径；103-第二内直径；104-晶圆边缘覆盖宽度；110-半导体晶圆；120-晶座。

具体实施方式

请参阅图1A、图1B、图1C，其为本发明所提供的晶圆边缘保护装置的一种实施例的示意图，其中图1C为图1B中由虚线C所圈出部分的放大图，此晶圆边缘保护装置100安装于一感应耦合电浆离子蚀刻机台10内，具有一环形夹持部101，其中前述环形夹持部101具有一第一内直径102以及一第二内直径103，前述边缘保护装置100于使用时覆盖一半导体晶圆110及一晶座120的边缘，用于夹持前述半导体晶圆110及晶座120，并保护前述半导体晶圆110及晶座120的边缘在蚀刻过程中不受损坏。