[发明专利]晶圆边缘保护装置无效
| 申请号： | 201310080281.1 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104051293A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈家豪;魏逸丰;谢曜锺;卓宜德;华特东尼福摩斯 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边缘 保护装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆边缘保护装置，安装于一感应耦合电浆离子蚀刻机台内，其特征在于：该晶圆边缘保护装置具有一环形夹持部，其中该环形夹持部具有一第一内直径以及一第二内直径，覆盖一半导体晶圆及一晶座的边缘，用于夹持该半导体晶圆及该晶座，并保护该半导体晶圆及该晶座的边缘在蚀刻过程中不受损坏。
2.根据权利要求1所述的晶圆边缘保护装置，其特征在于：该第一内直径介于40mm至200mm之间。
3.根据权利要求1所述的晶圆边缘保护装置，其特征在于：该第二内直径介于50mm至1000mm之间。
4.根据权利要求1所述的晶圆边缘保护装置，其特征在于：该环形夹持部以陶瓷材料制成。
5.根据权利要求1所述的晶圆边缘保护装置，其特征在于：该晶圆是一化合物半导体氮化镓晶圆，其尺寸介于50mm至200mm之间。
6.根据权利要求5所述的晶圆边缘保护装置，其特征在于：该化合物半导体氮化镓晶圆包含成长于一半绝缘性4H碳化硅或6H碳化硅基板的以氮化镓为主的磊晶层。
7.根据权利要求6所述的晶圆边缘保护装置，其特征在于：该化合物半导体氮化镓晶圆固定于一尺寸介于50mm至200mm间的晶座。
8.根据权利要求7所述的晶圆边缘保护装置，其特征在于：该晶座以蓝宝石材料基板、玻璃材料基板或碳化硅材料基板制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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