[发明专利]通过同时发生电流脉冲利用放热反应使组件相互结合有效
申请号: | 201310078324.2 | 申请日: | 2013-03-12 |
公开(公告)号: | CN103311139B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | F·史 | 申请(专利权)人: | 波音公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H05K3/30;H05K3/34;H01L21/67 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵蓉民,张全信 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 同时 发生 电流 脉冲 利用 放热反应 组件 相互 结合 | ||
背景技术
本公开一般地涉及制造组件,并且具体地涉及使组件相互接合。仍更具体地,本公开涉及利用焊料和放热反应使组件相互结合的方法和装置。
很多设备包括电路。这些电路可采用集成电路的形式。这些集成电路也被称为芯片。通常,集成电路被放置在包装中。该包装可包括两部分。集成电路可被安装在一部分诸如基底上。另一部分——盖,可被结合至基底以形成包装,集成电路位于包装内部。该包装为集成电路提供保护和电连接。该包装可随后被安装在基底诸如印制的电路板上。印制的电路板提供了机械支持和不同电子组件之间的电连接。
在其他情况中,集成电路可被安装或形成在印制的电路板上。盖可被放置在集成电路上方并结合至印制的电路板。盖可以以形成气密密封的方式结合至电路板以覆盖集成电路。
具有支持组件的集成电路的例子为相阵列天线模块,在支持组件上气密密封可为期望的。该类型电路,以及其他类型的电路,可被密封以减少进入这些电路并影响这些电路的操作的湿气。目前,电路通常以陶瓷包装、玻璃或金属包装或其他类型的包装进行气密密封。在一些情况中,盖可被直接放置在印制的电路板基底上。这些类型的包装通常使用焊料以形成阻止湿气侵入的密封。
焊接、电阻焊接或一些其他合适的技术通常用于将盖结合至基底。将盖结合至基底所产生的热涉及经过一段时间后的温度——其可高于所期望的。这些温度可对集成电路和其他共定位组件产生不期望的影响。例如,高温可引起不期望的影响,诸如损坏将集成电路附连至基底的粘接材料,破坏在相同的包装内与集成电路共定位的组件,将应力引导在集成电路和周围组件上,缩短集成电路和它的支持组件的寿命,或其一些组合。
结果,利用目前使用的密封组件的方法,重新加工或替换损坏的集成电路和其他组件可比期望的要更经常地发生。因此,制造电路和电路系统需要的时间和费用可大于期望的。
因此,期望具有考虑到至少一些上述问题以及可能的其他问题的方法和装置。
发明内容
在一个说明性实施方式中,提供了用于将第一工件和第二工件相互接合的方法。放热材料层被放置在第一工件和第二工件之间。多股电流在多个位置并基本上同时施加至该放热材料层,以便在该放热材料层中发生放热反应。
在另一个说明性实施方式中,提供了用于密封印制的电路板上的电路的方法。放热材料层被放置在盖和印制的电路板之间。该盖位于印制的电路板上的集成电路上方。在多个位置施加多股电流脉冲至该放热材料层。基本上同时施加多股电流脉冲,以便在该放热材料层中发生放热反应。当发生放热反应时,施加推动盖朝向印制的电路板的力,在盖和印制的电路板之间形成气密密封。
还在另一个说明性实施方式中,装置包括平台和控制器。平台被配置以保持第一工件和第二工件,放热材料层位于第一工件和第二工件之间。控制器被配置以在多个位置施加多股电流至该放热材料层。基本上同时施加多股电流,以便在该放热材料层中发生放热反应。
所述特征和功能可在本公开的多种实施方式中独立实现或可在其他实施方式中组合,其中进一步的细节参考以下描述和附图可见。
附图说明
被认为是说明性实施方式的特性的新特征在所附权利要求中说明。然而,当与附图结合阅读时,说明性实施方式以及优选的使用模式、进一步的目标和其特征将通过参考以下本公开的说明性实施方式的详细说明被最好地理解,其中:
图1和1A-1B为根据说明性实施方式的制造环境的图示;
图2为根据说明性实施方式的工件的图示;
图3为根据说明性实施方式用于激活放热反应的电路的图示;
图4为根据说明性实施方式的制造环境的方块图的图示;和
图5为根据说明性实施方式用于将工件相互结合的过程的流程图的图示。
发明详述
说明性实施方式认可和考虑很多不同的想法。例如,说明性实施方式认可和考虑选择用于焊料的放热材料可降低用于使组件相互结合的时间和温度。
说明性实施方式也认可和考虑在放热反应已经发生后施加电流至焊料可能不能在焊料中提供期望水平的连续性。例如,当焊料具有配置以符合集成电路的包装中窄区域的形状时,焊料可能不以期望的方式流动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造