[发明专利]基板对位标记及其制作方法、基板有效

专利信息
申请号: 201310075174.X 申请日: 2013-03-08
公开(公告)号: CN103199084A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 田川;郝昭慧 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/02;G03F9/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 韩国胜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 对位 标记 及其 制作方法 基板
【说明书】:

技术领域

发明涉及对位技术领域,特别是涉及一种基板对位标记及其制作方法、基板。

背景技术

液晶显示技术发展至今已经相当成熟,各个面板公司的主要竞争越来越趋向于良率的提升和成本的下降。光刻是薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称为“TFT-LCD”)生产中的必须环节,曝光机进行曝光时为了实现各层之间图形的重合度符合要求,通常在基板的周边上制作对位标记,来保证对位精确。

现有技术中的对位标记一般与薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称为“TFT”)的栅电极或源漏电极同层制作,在生产过程中涂覆、沉积或溅射等工艺形成栅电极金属层薄膜或源漏电极金属层薄膜时,可能会出现金属镀膜不平的现象,导致进行对位时显微镜下的对位标记显示为小黑点,无法有效识别并实现对位,从而增加了次品率。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明提供一种基板对位标记及其制作方法,用以解决对位标记形成过程中由于镀膜不平,导致对位时无法识别对位标记的问题;

本发明还提供一种基板,其上具有如上所述的基板对位标记,降低基板制作工艺中由于无法识别对位标记导致的次品率。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题,本发明提供一种基板对位标记,其包括位于基板不同层结构上的第一对位标记图案和第二对位标记图案;其中,所述第一对位标记图案和第二对位标记图案的中心重合,且不存在交叠部分。

如上所述的基板对位标记,优选的是,所述第二对位标记图案位于所述第一对位标记图案所在的区域内;

所述第一对位标记图案和第二对位标记图案均为空心结构,或

所述第一对位标记图案为空心结构,所述第二对位标记图案为实心结构。

如上所述的基板对位标记,优选的是,所述第一对位标记图案和第二对位标记图案具有相似结构。

如上所述的基板对位标记,优选的是,所述第一对位标记图案和第二对位标记图案均为空心的十字结构,或

所述第一对位标记图案为空心的十字结构,所述第二对位标记图案为实心的十字结构。

如上所述的基板对位标记,优选的是,所述第一对位标记图案和第二对位标记图案为不相似结构。

如上所述的基板对位标记,优选的是,所述第一对位标记图案为空心的十字结构,所述第二对位标记图案为圆环结构,或

所述第一对位标记图案为空心的十字结构,所述第二对位标记图案为实心圆结构。

同时,本发明还提供一种基板,其上具有对位标记,所述对位标记采用如上所述的基板对位标记。

如上所述的基板,优选的是,所述基板上形成有薄膜晶体管;

所述第一对位标记图案由与薄膜晶体管的栅电极相同的金属层制成;所述第二对位标记图案由与薄膜晶体管的源漏电极相同的金属层制成。

相应地,本发明提供还一种基板对位标记的制作方法,包括形成第一对位标记图案的步骤和形成第二对位标记图案的步骤;其中,所述第一对位标记图案和第二对位标记图案位于基板的不同层结构上,且中心重合,不存在交叠部分。

如上所述的基板对位标记的制作方法,优选的是,还包括形成薄膜晶体管的步骤;

形成第一对位标记图案的步骤具体为:

与薄膜晶体管的栅电极同层形成所述第一对位标记图案;

形成第二对位标记图案的步骤具体为:

与薄膜晶体管源漏电极同层形成所述第二对位标记图案。

(三)有益效果

本发明所提供的基板对位标记及其制作方法,通过在基板的不同层结构上制作两个对位标记图案,当其中一个对位标记形成过程中由于镀膜不平,导致对位时无法识别该对位标记时,还可以通过识别另一个对位标记进行对位,提升了对位标记的识别成功率,从而大大降低了基板制作工艺中由于无法识别对位标记导致的次品率。

附图说明

图1为本发明实施例中基板对位标记的结构图一;

图2为图1沿A-A方向的剖视图;

图3为本发明实施例中基板对位标记的结构图二;

图4为本发明实施例中基板对位标记的结构图三;

图5为本发明实施例中基板对位标记的结构图四。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。

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