[发明专利]在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件

权利要求书

1.一种用于半导体处理的方法，所述方法包括：

在具有用于光子和电子装置的不同的硅层厚度的两个互补金属氧化物半导体（CMOS）晶片上通过将所述晶片中的每一者的至少一部分结合在一起来制造所述光子装置和所述电子装置，其中所述CMOS晶片中的第一者包括所述光子装置，且所述CMOS晶片中的第二者包括所述电子装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括利用穿硅通孔将所述电气装置中的一者或一者以上电耦合到所述光学装置中的一者或一者以上。

3.一种用于半导体处理的系统，所述系统包括：

光子和电子装置，其是在具有用于所述光子装置和所述电子装置的不同的硅层厚度的两个互补金属氧化物半导体（CMOS）晶片上通过将所述晶片中的每一者的至少一部分结合在一起制造的，其中所述CMOS晶片中的第一者包括所述光子装置，且所述CMOS晶片中的第二者包括所述电子装置。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述电气装置中的一者或一者以上利用穿硅通孔而电耦合到所述光学装置中的一者或一者以上。