[发明专利]叠层有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电致发光技术领域，特别是涉及一种叠层有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。为了提高发光亮度和发光效率，越来越多的研究是以叠层器件为主，这种结构通常是用电荷产生层作为连接层把数个发光单元串联起来，与单元器件相比，叠层结构器件往往具有成倍的电流效率和发光亮度。

目前研究的比较多的是利用两种或两种以上具有空穴注入性能或电子注入性能的材料作为电荷生成层，但是普遍透过率较低，发光效率较低。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的叠层有机电致发光器件。

进一步，提供一种叠层有机电致发光器件的制备方法。

一种叠层有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、第一发光单元、电荷生成层、第二发光单元及阴极，所述第一发光单元包括依次层叠于所述阳极上的空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；所述第二发光单元包括依次层叠于所述电荷产生层上的第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层及电子注入层；所述电荷生成层包括依次层叠于所述第一发光单元上的n型掺杂层和p型掺杂层，所述n型掺杂层由n型材料掺杂于第一金属氧化物中形成，所述p型掺杂层由p型材料掺杂于第二金属氧化物中形成，所述n型材料为氟化锂、氯化锂、溴化锂或碳酸锂，所述p型材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述第一金属氧化物和第二金属氧化物为五氧化二钽、五氧化二铌或二氧化钒。

在其中一个实施例中，所述n型材料占所述第一金属氧化物的质量百分比为10～60%。

在其中一个实施例中，所述p型材料占所述第二金属氧化物的质量百分比为5～20%。

在其中一个实施例中，所述n型掺杂层的厚度为5纳米～30纳米。

在其中一个实施例中，所述p型掺杂层的厚度为1纳米～10纳米。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层由三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒形成；

所述第一空穴传输层由1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺形成；

所述第一发光层由4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝形成；

所述第一电子传输层由4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层的厚度为20纳米～80纳米；所述第一空穴传输层的厚度为20纳米～60纳米；所述第一发光层的厚度为5纳米～40纳米；所述第一电子传输层的厚度为40纳米～200纳米。

在其中一个实施例中，所述第二空穴传输层由1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺形成；

所述第二发光层由4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝形成；

所述第二电子传输层由4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成；

所述电子注入层由碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯或者氟化锂形成。

在其中一个实施例中，所述第二空穴传输层的厚度为20纳米～60纳米；所述第二发光层的厚度为5纳米～40纳米；所述第二电子传输层的厚度为40纳米～200纳米；所述电子注入层的厚度为0.5纳米～10纳米。