[发明专利]叠层有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种叠层有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、第一发光单元、电荷生成层、第二发光单元及阴极，所述第一发光单元包括依次层叠于所述阳极上的空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；所述第二发光单元包括依次层叠于所述电荷产生层上的第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层及电子注入层；所述电荷生成层包括依次层叠于所述第一发光单元上的n型掺杂层和p型掺杂层，所述n型掺杂层由n型材料掺杂于第一金属氧化物中形成，所述p型掺杂层由p型材料掺杂于第二金属氧化物中形成，所述n型材料为氟化锂、氯化锂、溴化锂或碳酸锂，所述p型材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述第一金属氧化物和第二金属氧化物为五氧化二钽、五氧化二铌或二氧化钒。

2.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述n型材料占所述第一金属氧化物的质量百分比为10～60%。

3.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述p型材料占所述第二金属氧化物的质量百分比为5～20%。

4.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述n型掺杂层的厚度为5纳米～30纳米。

5.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述p型掺杂层的厚度为1纳米～10纳米。

6.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层由三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒形成；

所述第一空穴传输层由1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺形成；

所述第一发光层由4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝形成；

所述第一电子传输层由4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成。

7.根据权利要求6所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为20纳米～80纳米；所述第一空穴传输层的厚度为20纳米～60纳米；所述第一发光层的厚度为5纳米～40纳米；所述第一电子传输层的厚度为40纳米～200纳米。

8.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输层由1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺形成；

所述第二发光层由4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝形成；

所述第二电子传输层由4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成；

所述电子注入层由碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯或者氟化锂形成。

9.根据权利要求8所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输层的厚度为20纳米～60纳米；所述第二发光层的厚度为5纳米～40纳米；所述第二电子传输层的厚度为40纳米～200纳米；所述电子注入层的厚度为0.5纳米～10纳米。

10.一种权利要求1所述的叠层有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用真空蒸镀在阳极上依次形成空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层从而在所述阳极上形成第一发光单元；

采用真空蒸镀在所述第一发光单元上形成n型掺杂层，所述n型掺杂层由n型材料掺杂于第一金属氧化物中形成；

采用真空蒸镀在所述n型掺杂层上形成p型掺杂层，所述n型掺杂层和p型层层叠形成电荷产生层；所述p型掺杂层由p型材料掺杂于第二金属氧化物中形成，所述n型材料为氟化锂、氯化锂、溴化锂或碳酸锂，所述p型材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述第一金属氧化物和第二金属氧化物为五氧化二钽、五氧化二铌或二氧化钒；

采用真空蒸镀在所述p型层上依次形成第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层及电子注入层从而在所述p型层上形成第二发光单元；

采用真空蒸镀在所述第二发光单元上形成阴极，得到叠层有机电致发光器件。