[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种封装结构及其制造方法，且特别是有关于一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

发光二极管（Light-Emitting Diode，LED）是一种半导体元件。早期大多把发光二极管作为指示灯或显示板的发光元件，但随着制作发光二极管的技术日新月异，近年来已被大量应用于照明设备中。此外，当灯具利用发光二极管与导光板来发光时，与传统灯泡光源相较，具有效率高、寿命长、不易损坏等优点。

但是，目前由于发光二极管在发光时，发光二极管芯片所发出的光源有一部分会被基板或壳体所阻挡而无法作为照明的功能，使得发光二极管芯片发出的光源无法被有效率的使用，进而影响发光二极管封装结构整体的出光效率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种发光二极管封装结构及其制造方法用以解决先前技术所造成的问题。

根据本发明一实施方式，一种发光二极管封装结构，包含壳体、二导电支架、发光二极管芯片以及透光封装胶体。壳体包含反射凹槽。二导电支架设置于壳体内，且部分裸露于反射凹槽中。发光二极管芯片设置于反射凹槽内且分别以导线电性连接至二导电支架，且发光二极管芯片与反射凹槽的底面不接触并具有一间隙。透光封装胶体设于反射凹槽内，并覆盖导线与发光二极管芯片，且填入间隙内。

在本发明一实施方式中，间隙的垂直距离不小于发光二极管芯片厚度的一半，且使得发光二极管芯片及导线位于透光封装胶体内部。

在本发明一实施方式中，二导电支架之间被绝缘体所隔开。

在本发明一实施方式中，透光封装胶体为一含荧光粉胶体。

在本发明一实施方式中，反射凹槽的底面以及内侧面具有反射层。

根据本发明另一实施方式，一种发光二极管封装结构的制造方法包含提供一壳体，其中壳体具有一反射凹槽。形成一牺牲层于反射凹槽中。设置发光二极管芯片于牺牲层的顶面，并分别使用导线电性连接对应的导电支架。去除牺牲层，使得发光二极管芯片不与容置凹槽的底面接触且具有一间隙。填充一透光封装胶体于容置凹槽内以覆盖导线与发光二极管芯片，且填入间隙内。

在本发明另一实施方式中，牺牲层为一聚乙烯醇（ＰＶＡ）高分子胶体层。

在本发明另一实施方式中，发光二极管封装结构的制造方法还包含加热牺牲层使其分解。在牺牲层分解后，水洗溶解去除牺牲层。烘烤容置凹槽。

在本发明另一实施方式中，加热牺牲层的温度为200℃～300℃。

在本发明另一实施方式中，间隙的垂直距离不小于发光二极管芯片厚度的一半，且使得发光二极管芯片及导线位于透光封装胶体内部。

在本发明另一实施方式中，封装胶体为一含荧光粉胶体。

在本发明上述实施方式中，由于发光二极管封装结构的发光二极管芯片与反射凹槽具有一间隙，当发光二极管芯片发光时，反射凹槽可反射发光二极管芯片自底面发出的光源，使其经反射后自发光二极管封装结构的出光面发出。因此，本发明的发光二极管封装结构具有较高的发光效率。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1是绘示依照本发明一实施方式的一种发光二极管封装结构的剖示图；

图2是绘示依照本发明一实施方式的一种发光二极管封装结构的实验数据图；

图2A是绘示依照本发明一实施方式的二种不同色温的发光二极管封装结构的实验数据图；

图3A至图3E是绘示依照本发明另一实施方式的一种发光二极管封装结构的制造方法的不同步骤流程的示意图。

【主要元件符号说明】

100：封装结构

101：出光面

110：壳体

112：反射凹槽

114：反射层

120：导电支架

122：绝缘体

130：发光二极管芯片

132：导线

134：间隙

140：透光封装胶体

150：牺牲层

D₁：垂直距离

D₂：厚度

S1～S5：步骤

具体实施方式

以下将以附图及详细说明本发明的精神，任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本发明的较佳实施例后，当可由本发明所教示的技术加以改变及修饰，其并不脱离本发明的精神与范围。