[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310070608.7 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103855271A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 林升霈;许哲铭 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含：
一壳体，包含一反射凹槽；
二导电支架，设置于该壳体内，部分裸露于该反射凹槽中；
一发光二极管芯片，设于该反射凹槽内且分别以导线电性连接至该二导电支架，且该发光二极管芯片与该反射凹槽的底面不接触且具有一间隙；以及
一透光封装胶体，设于该反射凹槽内，并覆盖该导线与该发光二极管芯片，且填入该间隙内。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该间隙的垂直距离不小于该发光二极管芯片厚度的一半，且使得该发光二极管芯片及该导线位于该透光封装胶体内部。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该二导电支架之间被一绝缘体所隔开。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透光封装胶体为一含荧光粉胶体。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该反射凹槽的底面以及内侧面具有反射层。
6.一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，包含：
(a)提供一壳体，其中该壳体具有一反射凹槽；
(b)形成一牺牲层于该反射凹槽中；
(c)设置一发光二极管芯片于该牺牲层的顶面，并分别使用导线电性连接该对应的导电支架；
(d)去除该牺牲层，使得该发光二极管芯片不与该容置凹槽的底面接触且具有一间隙；
(e)填充一透光封装胶体于该容置凹槽内以覆盖该导线与发光二极管芯片，且填入该间隙内。
7.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该牺牲层为一聚乙烯醇高分子胶体层。
8.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，步骤(d)包含：
加热该牺牲层使其分解；
在该牺牲层分解后，水洗溶解去除该牺牲层；以及
烘烤该容置凹槽。
9.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，加热该牺牲层的温度为200℃～300℃。
10.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该间隙的垂直距离不小于该发光二极管芯片厚度的一半，且使得该发光二极管芯片及该导线位于该透光封装胶体内部。
11.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该封装胶体为一含荧光粉胶体。
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