[发明专利]提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法与应用在审
| 申请号： | 201310070581.1 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103456611A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 周志文 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518172 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 材料 掺杂 载流子 浓度 方法 应用 | ||
1.一种提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法，包括如下步骤：
提供锗衬底；
采用离子注入法在所述锗衬底中注入N型杂质离子；
将注入有N型杂质离子的所述锗衬底进行退火处理；
将经步骤退火处理的所述锗衬底依次重复进行在所述锗衬底中注入N型杂质离子和退火处理的步骤；其中，每次进行注入N型杂质离子的步骤时，注入在所述锗衬底中N型杂质离子的量不高于N型杂质离子在所述锗衬底中固溶度的1/3。
2.如权利要求1所述的提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法，其特征在于：在所述锗衬底中注入N型杂质离子的步骤中，所述N型杂质离子注入的能量为10～100KeV。
3.如权利要求1或2所述的提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法，其特征在于：在所述锗衬底中注入N型杂质离子的步骤中，所述N型杂质离子为磷、砷、锑中的至少一种。
4.如权利要求1所述的提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法，其特征在于：在所述退火处理的步骤中，所述退火处理的温度为400℃～700℃。
5.如权利要求1或4所述的提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法，其特征在于：所述退火处理的方法为激光退火、快速热退火或普通热退火。
6.如权利要求1所述的提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法，其特征在于：在依次重复进行于所述锗衬底中注入N型杂质离子和退火处理的步骤中，依次重复进行在所述锗衬底中注入N型杂质离子和退火处理步骤的次数为1～5次。
7.如权利要求1或4所述的提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法，其特征在于：所述锗衬底为在硅衬底表面上层叠结合的锗膜层衬底。
8.如权利要求1～7所述的提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法在制备含锗材料器件中的应用。
9.如权利要求8所述的提高锗材料N型掺杂载流子浓度方法的应用，其特征在于：含锗材料器件为场效应晶体管、光电探测器和发光管等器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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