[发明专利]支撑基板、半导体装置的制造方法以及半导体装置的检查方法

说明书

技术领域

本实施方式涉及支撑基板、半导体装置的制造方法和半导体装置的检查方法。 

背景技术

个别半导体等纵型半导体装置在将半导体基板(以下记为晶片)从背面利用磨削、研磨、蚀刻等进行薄化后，对于该背面进行各种加工处理。之后，一般检查电特性，将半导体装置分为单片。然而，由于晶片厚度变薄所导致的强度的下降、以及形成于晶片上的半导体装置的构造引起的应力等，在晶片会产生大的翘曲。因此，晶片的运送(例如装卸)变得困难。另外，容易产生运送时、加工时的瑕疵(例如裂痕和破损)。 

因此，采用在晶片的表面粘贴表面保护片(以下记为BSG带)、或者支持基板的状态下，对晶片的背面进行各种加工处理的方法。例如，在以往的支持基板中，有的形成有从支持基板的表面贯穿至背面的多个贯穿孔。通过形成多个贯穿孔，能够将在从晶片的表面剥离支持基板时使用的溶剂快速导入至支持基板与晶片的表面之间的整个区域。 

另一方面，在对晶片的背面进行各种加工处理并在背面形成背面电极之后的电特性检查中，需要使电特性检查装置的探针接触位于晶片表面侧的表面电极，使电特性检查装置的测试台接触位于晶片背面侧的背面电极。但是，在晶片的表面粘贴了BSG带、玻璃基板的状态下，无法使探针接触表面电极。因此，在检查半导体装置的电特性时，需要将粘贴在晶片表面的BSG带、玻璃基板剥离并露出表面电极。 

通常，BSG带、玻璃基板是在将晶片装配在切割薄片上的状态下剥离的。但是，在将BSG带、玻璃基板剥离了的情况下，为了保持晶 片的强度无法剥离切割薄片。因此，无法使测试台接触背面电极。因此，提出了将在中央具有圆形开口的环状带粘贴在晶片表面，在使表面电极露出的状态下检查半导体装置的电特性。 

但是，在以往的方法中，无法从晶片的薄化到半导体装置的电特性的检查为止一贯地增强晶片。 

发明内容

希望一种能够从晶片的薄化到半导体装置的电特性的检查为止一贯地增强晶片的方案。 

本实施方式所涉及的支撑基板，具有：第1支持基板，其外径比半导体基板的直径大，内径比所述半导体基板的直径小；以及第2支持基板，其外径为所述第1支持基板的内径以下。 

其他实施方式所涉及的半导体装置的制造方法，具有：在形成有半导体装置的半导体基板的表面粘贴第1支持基板和第2支持基板的工序，其中，第1支持基板的外径比所述半导体基板的直径大，内径比所述半导体基板的直径小，第2支持基板的外径为所述第1支持基板的内径以下；对所述半导体基板的背面进行磨削，薄化所述半导体基板的工序；从所述半导体基板的表面剥离所述第2支持基板的工序；检查所述半导体装置的电特性的工序；在所述半导体基板的背面粘贴切割薄片的工序；从所述半导体基板的表面剥离所述第1支持基板的工序；以及切割所述半导体基板而将所述半导体装置分为单片的工序。 

其他实施方式所涉及的半导体装置的检查方法，具有：在形成有半导体装置的半导体基板的表面粘贴第1支持基板和第2支持基板的工序，其中，第1支持基板的外径比所述半导体基板的直径大，内径比所述半导体基板的直径小，第2支持基板的外径为所述第1支持基板的内径以下；对所述半导体基板的背面进行磨削，薄化所述半导体基板的工序；从所述半导体基板的表面剥离所述第2支持基板的工序；以及测定所述半导体装置的电特性的工序。 

附图说明

图1(a)-1(c)是示出实施方式所涉及的支撑基板的结构的鸟瞰图、俯视图和剖面图。 

图2(a)-2(c)是示出使用了实施方式所涉及的支撑基板的半导体装置的制造工序的剖面图。 

图3(a)-3(c)是示出使用了实施方式所涉及的支撑基板的半导体装置的制造工序的剖面图。 

图4(a)-4(d)是示出使用了实施方式所涉及的支撑基板的半导体装置的制造工序的剖面图。 

具体实施方式

下面，参照附图，详细说明实施方式。 

(实施例) 

＜支撑基板100的结构＞ 

说明支撑基板100的结构。 

图1(a)-1(c)是示出实施方式所涉及的支撑基板的结构的立体图、俯视图和剖面图。图1(a)是支撑基板100的鸟瞰图。图1(b)是支撑基板100的俯视图。图1(c)是图1(b)的X-X线的支撑基板100的剖面图。