[发明专利]支撑基板、半导体装置的制造方法以及半导体装置的检查方法无效

专利信息
申请号: 201310070023.5 申请日: 2013-03-06
公开(公告)号: CN103325719A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 江崎朗 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L21/304;H01L21/66
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 崔成哲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 支撑 半导体 装置 制造 方法 以及 检查
【权利要求书】:

1.一种支撑基板,其特征在于,具有:

第1支持基板,其外径比半导体基板的直径大,内径比所述半导体基板的直径小;以及

第2支持基板,其外径为所述第1支持基板的内径以下。

2.如权利要求1所述的支撑基板,其特征在于,

所述第1支持基板的内径比所述半导体基板的直径小2~6mm。

3.如权利要求1所述的支撑基板,其特征在于,

在所述第2支持基板形成有从表面贯穿到背面的多个贯穿孔。

4.如权利要求1所述的支撑基板,其特征在于,

所述第1支持基板与第2支持基板的材质和厚度相同。

5.如权利要求1所述的支撑基板,其特征在于,

所述第1、第2支持基板是从同一块板切下而形成的。

6.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:

在形成有半导体装置的半导体基板的表面粘贴第1支持基板和第2支持基板的工序,其中,第1支持基板的外径比所述半导体基板的直径大,内径比所述半导体基板的直径小,第2支持基板的外径为所述第1支持基板的内径以下;

对所述半导体基板的背面进行磨削,薄化所述半导体基板的工序;

从所述半导体基板的表面剥离所述第2支持基板的工序;

检查所述半导体装置的电特性的工序;

在所述半导体基板的背面粘贴切割薄片的工序;

从所述半导体基板的表面剥离所述第1支持基板的工序;以及

切割所述半导体基板而将所述半导体装置分为单片的工序。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在检查所述半导体装置的所述电特性的所述工序中,使电特性检查装置的探针接触所述半导体基板的露出的表面,使所述电特性检查装置的测试台接触所述半导体基板的背面,测定所述半导体装置的电特性。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在剥离所述第2支持基板的所述工序中,

向所述第1支持基板内供给剥离液而剥离所述第2支持基板。

9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,还具有:

在将所述第1支持基板和所述第2支持基板粘贴在所述半导体基板的所述表面的所述工序之后,在所述第1支持基板的表面和所述第2支持基板的表面分别粘贴表面保护带的工序;以及

在薄化所述半导体基板的所述工序之后,从所述第1支持基板的所述表面和所述第2支持基板的所述表面剥离所述表面保护带的工序。

10.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在剥离所述表面保护带的所述工序中,

在吸附了所述第1支持基板的背面的状态下,从所述第1支持基板的表面和所述第2支持基板的所述表面剥离所述表面保护带。

11.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述第1支持基板的内径比所述半导体基板的直径小2~6mm。

12.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在所述第2支持基板形成有从表面贯穿到背面的多个贯穿孔。

13.一种半导体装置的检查方法,其特征在于,具有:

在形成有半导体装置的半导体基板的表面粘贴第1支持基板和第2支持基板的工序,其中,第1支持基板的外径比所述半导体基板的直径大,内径比所述半导体基板的直径小,第2支持基板的外径为所述第1支持基板的内径以下;

对所述半导体基板的背面进行磨削,薄化所述半导体基板的工序;

从所述半导体基板的表面剥离所述第2支持基板的工序;以及

测定所述半导体装置的电特性的工序。

14.如权利要求13所述的半导体装置的检查方法,其特征在于,

在测定所述半导体装置的电特性的所述工序中,

使电特性检查装置的探针接触所述半导体基板的露出的表面,使所述电特性检查装置的测试台接触所述半导体基板的背面,测定所述半导体装置的电特性。

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