[发明专利]支撑基板、半导体装置的制造方法以及半导体装置的检查方法无效
申请号: | 201310070023.5 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN103325719A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 江崎朗 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/304;H01L21/66 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 半导体 装置 制造 方法 以及 检查 | ||
1.一种支撑基板,其特征在于,具有:
第1支持基板,其外径比半导体基板的直径大,内径比所述半导体基板的直径小;以及
第2支持基板,其外径为所述第1支持基板的内径以下。
2.如权利要求1所述的支撑基板,其特征在于,
所述第1支持基板的内径比所述半导体基板的直径小2~6mm。
3.如权利要求1所述的支撑基板,其特征在于,
在所述第2支持基板形成有从表面贯穿到背面的多个贯穿孔。
4.如权利要求1所述的支撑基板,其特征在于,
所述第1支持基板与第2支持基板的材质和厚度相同。
5.如权利要求1所述的支撑基板,其特征在于,
所述第1、第2支持基板是从同一块板切下而形成的。
6.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:
在形成有半导体装置的半导体基板的表面粘贴第1支持基板和第2支持基板的工序,其中,第1支持基板的外径比所述半导体基板的直径大,内径比所述半导体基板的直径小,第2支持基板的外径为所述第1支持基板的内径以下;
对所述半导体基板的背面进行磨削,薄化所述半导体基板的工序;
从所述半导体基板的表面剥离所述第2支持基板的工序;
检查所述半导体装置的电特性的工序;
在所述半导体基板的背面粘贴切割薄片的工序;
从所述半导体基板的表面剥离所述第1支持基板的工序;以及
切割所述半导体基板而将所述半导体装置分为单片的工序。
7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在检查所述半导体装置的所述电特性的所述工序中,使电特性检查装置的探针接触所述半导体基板的露出的表面,使所述电特性检查装置的测试台接触所述半导体基板的背面,测定所述半导体装置的电特性。
8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在剥离所述第2支持基板的所述工序中,
向所述第1支持基板内供给剥离液而剥离所述第2支持基板。
9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,还具有:
在将所述第1支持基板和所述第2支持基板粘贴在所述半导体基板的所述表面的所述工序之后,在所述第1支持基板的表面和所述第2支持基板的表面分别粘贴表面保护带的工序;以及
在薄化所述半导体基板的所述工序之后,从所述第1支持基板的所述表面和所述第2支持基板的所述表面剥离所述表面保护带的工序。
10.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在剥离所述表面保护带的所述工序中,
在吸附了所述第1支持基板的背面的状态下,从所述第1支持基板的表面和所述第2支持基板的所述表面剥离所述表面保护带。
11.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述第1支持基板的内径比所述半导体基板的直径小2~6mm。
12.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在所述第2支持基板形成有从表面贯穿到背面的多个贯穿孔。
13.一种半导体装置的检查方法,其特征在于,具有:
在形成有半导体装置的半导体基板的表面粘贴第1支持基板和第2支持基板的工序,其中,第1支持基板的外径比所述半导体基板的直径大,内径比所述半导体基板的直径小,第2支持基板的外径为所述第1支持基板的内径以下;
对所述半导体基板的背面进行磨削,薄化所述半导体基板的工序;
从所述半导体基板的表面剥离所述第2支持基板的工序;以及
测定所述半导体装置的电特性的工序。
14.如权利要求13所述的半导体装置的检查方法,其特征在于,
在测定所述半导体装置的电特性的所述工序中,
使电特性检查装置的探针接触所述半导体基板的露出的表面,使所述电特性检查装置的测试台接触所述半导体基板的背面,测定所述半导体装置的电特性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造