[发明专利]穿透型中高压铝电解电容器的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及铝电解电容器的制作方法。

背景技术

由于现有的中高压腐蚀箔片面追求铝箔的比容，同时现有的腐蚀箔均有中间夹心层，由这种铝箔卷绕的电容器，隔层两边的氧化膜存在一定的电势和电流取向的差异。电解液也被隔离在铝基的两边不导通，从而导致内阻大，电容发热量因为离子局部堵塞而发热量大，造成能源损耗增大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种损耗小、内阻小的穿透型中高压铝电解电容的制作方法。

本发明的目的可以这样实现，设计一种穿透型中高压铝电解电容的制作方法，包括步骤：

A、选用穿透型腐蚀孔形的氧化膜铝箔作为正极箔；

B、选用穿透型腐蚀孔形的高纯铝阴极箔作为中高压铝电解电容的负极箔；

C、通过裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺制作。

进一步地，所述穿透型腐蚀孔形的氧化膜铝箔，厚度为75～120μm，腐蚀孔径在0.05微米以上。

进一步地，所述穿透型腐蚀孔形的高纯铝箔的铝纯度≥99.8%，厚度为20～60μm，腐蚀孔径在0.04微米以上。

进一步地，所述穿透型腐蚀孔形的高纯铝箔的制作工艺包括：

①选用铝纯度≥99.8%的光箔；

②光箔去油污工序，采用草酸溶液或稀磷酸溶液，时间15～200秒，草酸的浓度0.5～10%，稀磷酸的浓度0.5～10%；

③发孔工艺，采用硫酸加盐酸溶液，温度50～90度，时间15～200秒，硫酸的浓度10～40%，盐酸的浓度1～10%；

④扩孔工艺，采用硝酸溶液或盐酸溶液，温度60～95度，时间150～900秒，硝酸的浓度1～15%，盐酸的浓度1～15%；

⑤腐蚀完后，正极箔进行化成，保持穿透型的孔形；阴极箔可进行50V电压下的化成或不化成，保持穿透型的孔形。

本发明采用穿透型腐蚀孔形的氧化膜铝箔作为正极箔，同时又选用穿透型腐蚀孔形的阴极箔作为负极箔。降低电容的损耗角正切和内阻，提高离子的交换效率，最终提高各类电源的能源效率。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步的描述。

一种中高压铝电解电容的制作方法，包括步骤：

A、选用穿透型腐蚀孔形的氧化膜铝箔作为正极箔；

B、选用穿透型腐蚀孔形的高纯铝箔作为负极箔；

C、通过裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺制作。

其中裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺为现有铝电解电容器的制作工艺，在公开的文件中可以查找到，在此就不一一列举描述。对于导针形（包括引线式）铝电解电容采用的工艺步骤为：裁切→钉卷→含浸→放置胶塞封口→套胶→老化→测试分选。对于耳片形（包括钮角、螺栓、焊片式）铝电解电容采用的工艺步骤为：裁切→钉卷→含浸→铆接→封口→套胶→老化→测试分选。

步骤B中负极箔选用穿透型腐蚀孔形的高纯铝阴极箔。

所述穿透型腐蚀孔形的氧化膜铝箔，厚度为75～120μm，腐蚀孔径在0.05微米以上。

所述穿透型腐蚀孔形的高纯铝箔的铝纯度≥99.8%，厚度为20～60μm，腐蚀孔径在0.04微米以上。

所述穿透型腐蚀孔形的高纯铝箔的制作工艺包括：

①选用铝纯度≥99.8%的光箔；

②光箔去油污工序，采用草酸溶液或稀磷酸溶液，时间15～200秒，草酸的浓度0.5～10%，稀磷酸的浓度0.5～10%；

③发孔工艺，采用硫酸加盐酸溶液，温度50～90度，时间15～200秒，硫酸的浓度10～40%，盐酸的浓度1～10%；

④扩孔工艺，采用硝酸溶液或盐酸溶液，温度60～95度，时间150～900秒，硝酸的浓度1～15%，盐酸的浓度1～15%；

⑤腐蚀完后，对于正极箔进行化成，保持穿透型的孔形；阴极箔可进行50V电压下的化成或不化成，保持穿透型的孔形。

步骤⑤中的化成工艺为现有的化成工艺。

在发孔工艺中，可延长开孔凿孔和腐蚀深度的时间，并加大盐酸的使用量，加大1.5%以上。

在扩孔工艺中，可延长扩孔的时间，并增加了硝酸的使用量。

实施例一、传统的带夹心层的腐蚀箔工艺

实施例二、110UM穿透型孔形的腐蚀箔工艺

实施例三、95UM穿透型孔形的腐蚀箔工艺: