[发明专利]穿透型中高压铝电解电容器的制作方法

权利要求书

1.一种穿透型中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于，包括步骤：

A、选用穿透型腐蚀孔形的氧化膜铝箔作为正极箔；

B、选用穿透型腐蚀孔形的高纯铝箔作为负极箔；

C、通过裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺制作。

2.根据权利要求1所述的穿透型中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于：所述穿透型腐蚀孔形的氧化膜铝箔，厚度为75～120μm，腐蚀孔径在0.05微米以上。

3.根据权利要求1所述的穿透型中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于：所述穿透型腐蚀孔形的高纯铝箔的铝纯度≥99.8%，厚度为20～60μm，腐蚀孔径在0.04微米以上。

4.根据权利要求3所述的穿透型中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于，所述穿透型腐蚀孔形的高纯铝箔的制作工艺包括：

①选用铝纯度≥99.8%的光箔；

②光箔去油污工序，采用草酸溶液或稀磷酸溶液，时间15～200秒，草酸的浓度0.5～10%，稀磷酸的浓度0.5～10%；

③发孔工艺，采用硫酸加盐酸溶液，温度50～90度，时间15～200秒，硫酸的浓度10～40%，盐酸的浓度1～10%；

④扩孔工艺，采用硝酸溶液或盐酸溶液，温度60～95度，时间150～900秒，硝酸的浓度1～15%，盐酸的浓度1～15%；

⑤腐蚀完后，正极箔进行化成，保持穿透型的孔形；阴极箔可进行50V电压下的化成或不化成，保持穿透型的孔形。

5.根据权利要求1所述的穿透型中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于：所述负极箔选用穿透型腐蚀孔形的高纯铝阴极箔。

6.根据权利要求4所述的穿透型中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于：在发孔工艺中，可延长开孔凿孔和腐蚀深度的时间，并加大盐酸的使用量，加大1.5%以上。