[发明专利]提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法无效
| 申请号： | 201310067946.5 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103165780A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李璟;王国宏;詹腾;孔庆峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 亮度 gan led 芯片 制作方法 | ||
1.一种提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：
步骤1：取一半导体衬底；
步骤2：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层，形成GaN外延片；
步骤3：在GaN外延片表面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N-GaN层，在N-GaN层的一侧形成台面；
步骤4：在GaN外延片的上表面蒸镀ITO薄膜；
步骤5：在P-GaN层上的ITO薄膜上光刻腐蚀出一凹槽；腐蚀掉多量子阱发光层和P-GaN层侧壁上的ITO薄膜，保留台面上的ITO薄膜；
步骤6：在ITO薄膜上的凹槽内制作P电极，在台面上的ITO薄膜上制作N电极，完成制备。
2.根据权利要求1所述的提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，其中所述半导体衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅或金属。
3.根据权利要求1所述的提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，其中台面的刻蚀深度到达N-GaN层内。
4.根据权利要求1所述的提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，其中多量子阱发光层的周期数为2-15。
5.根据权利要求4所述的提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，其中每一周期的量子阱包括GaN和生长在其上的InGaN。
6.根据权利要求1所述的提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，其中P电极和N电极的材料分别为Al/Pt/Au、Ag/Pt/Au、Ni/Ag/Pt/Au、Ti/Ag/Pt/Au、Ni/Al/Pt/Au或Ti/Al/Pt/Au。
7.根据权利要求6所述的提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法，其中P电极和N电极中的最下面一层的的材料为Al或Ag时，其厚度为当最下面一层的的材料为Ni或Ti时，其厚度为
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