[发明专利]与改进的互补 MOSFET 开关相关的方法及装置

说明书

技术领域

本说明书涉及一种与改进的互补金属氧化物半导体场效应晶体管(CMOS)开关器件相关的方法及装置。

背景技术

已知的互补金属氧化物半导体场效应晶体管(CMOS)开关器件可能具有会对CMOS开关器件的功能产生不良影响的导通电阻和/或导通电容。例如，导通电阻相对较高和/或导通电容相对较高的CMOS开关器件会削弱穿过CMOS开关器件的信号，引入延迟或使该信号产生畸变。在已知的CMOS开关器件处进行控制的信号保真度可能会因CMOS开关器件的导通电阻和/或导通电容的不良电平而受到损害。因此，需要系统、方法及装置来解决本技术的不足并提供其他新的和创新的特征。

发明内容

在一个主要方面，一种装置可包括具有第一部分及第二部分的互补开关电路，以及与所述互补开关电路的第一部分耦接的第一驱动器电路。所述装置可包括与所述第一驱动器耦接的正电荷泵器件，以及与所述互补开关电路的第二部分耦接的第二驱动器电路。所述装置还可包括与所述第二驱动器电路耦接的负电荷泵器件。

在另一个主要方面，一种装置可包括正电荷泵器件，以及负电荷泵器件。所述装置可包括传输门开关，其包括经由第一驱动器电路可操作地与所述正电荷泵器件耦接的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，以及经由第二驱动器电路可操作地与所述负电荷泵耦接的P型MOSFET器件。

在又一个主要方面，一种方法可包括在电荷泵开关的输入端接收开关启用信号，以及响应于开关启用信号的接收，向所述电荷泵开关中包括的开关电路的第一部分施加比调节电压高的正电荷泵电压。所述方法可包括响应于开关启用信号的接收，向所述电荷泵开关中包括的开关电路的第二部分施加比地电压低的负电荷泵电压。

在下面的附图及说明书中陈述了一种或多种实现的详情。根据说明书、附图以及权利要求其他特征将变得显而易见。

附图说明

图1是示出了根据一个实施方式的电荷泵开关的框图。

图2是示出了根据一个实施方式的电荷泵开关的实现的示意图。

图3A至图3F是示出了电荷泵开关的操作的图。

图4是示出了根据一个实施方式的电荷泵开关的操作方法的流程图。

图5是示出了包括多个电荷泵器件及互补金属氧化物半导体场效应晶体管（CMOS）开关电路的电荷泵开关的导通电阻的图。

图6是示出了包括多个电荷泵器件及CMOS开关电路的电荷泵开关的导通电容的图。

图7示出了根据一个实施方式的包括开关阵列的计算设备的框图。

图8A及图8B是示出了根据一个实施方式的电荷泵开关的其他实现的示意图。

具体实施方式

图1是示出了根据一个实施方式的电荷泵开关100的框图。如图1所示，电荷泵开关100与信号发生器180耦接，且电荷泵开关100与信号接收器190耦接。当（例如，响应于）启用电荷泵开关100时（例如，接通、激活、变为导通状态或穿过状态（pass-through state）），电荷泵开关100被配置为使得由信号发生器180产生的数据信号12可以穿过电荷泵开关100至信号接收器190。当禁用电荷泵开关100时（例如，断开、高阻抗、停用、变为断开状态或截止状态），电荷泵开关100还被配置为使得由信号发生器产生的数据信号12不可以穿过电荷泵开关100至信号接收器190。在某些实施方式中，数据信号12进入电荷泵开关100（从信号发生器180）的部分可以被称为数据信号12的输入部分或称为输入数据信号，数据信号12离开电荷泵开关100的部分（至信号接收器190）（未示出）可以被称为数据信号12的输出部分或称为输出数据信号。

在本实施方式中，可以响应于开关控制信号10启用或禁用电荷泵开关100。换句话说，可响应于开关控制信号10触发电荷泵开关100将信号发生器180产生的信号传递至信号接收器190或切断该信号。

如图1所示，电荷泵开关100包括与信号发生器180和信号接收器190耦接的开关电路110。开关电路110包括第一部分112及第二部分114。第一部分112及第二部分114可以分别配置成在启用或禁用电荷泵开关100时在导通状态（例如，活动状态、导电状态）和断开状态（例如，停用状态、非导电状态）之间改变。如图1所示，数据信号12可以与电荷泵开关100中包括的开关电路110耦接。