[发明专利]与改进的互补 MOSFET 开关相关的方法及装置

权利要求书

1.一种装置，包括:

互补开关电路，包括第一部分及第二部分;

第一驱动器电路，耦接至所述互补开关电路的第一部分;

正电荷泵器件，耦接至所述第一驱动器;

第二驱动器电路，耦接至所述互补开关电路的第二部分;以及

负电荷泵器件，耦接至与所述第二驱动器电路。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一驱动器电路被配置成提供与由所述第二驱动器电路提供的电压范围重叠的电压范围，由所述第一驱动器电路提供的电压范围包括由所述正电荷泵器件产生的正电荷泵电压，由所述第二驱动器电路提供的电压范围包括由所述负电荷泵器件产生的负电荷泵电压。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述互补开关电路是传输门开关，所述传输门开关被配置成在激活所述互补开关时传递由信号发生器产生的信号并被配置成在停用所述互补开关时阻挡由所述信号发生器产生的信号。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一驱动器电路包括至少一个逆变器，并且所述第二驱动器电路包括至少两个逆变器。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二驱动器电路与调节电压耦接，并且所述正电荷泵器件被配置成产生比所述调节电压大的电压。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述正电荷泵器件被配置成经由所述第一驱动器电路向所述互补开关电路的第一部分施加比调节电压高的正电荷泵电压。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述负电荷泵器件被配置成经由所述第二驱动器电路向所述互补开关电路的第二部分施加比地电压低的负电荷泵电压。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述互补开关电路是被包括在开关阵列中的第一互补开关电路，所述开关阵列包括与所述第一互补开关电路并联的第二互补开关电路。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述互补开关电路包括互补金属氧化物半导体场效应晶体管器件。

10.根据权利要求1所述的装置，进一步包括:

电压选择器，被配置成经由所述第二驱动器电路为所述互补开关电路的第二部分提供选自一组电压中的电压。

11.一种装置，包括:

正电荷泵器件;

负电荷泵器件;以及

传输门开关，包括经由第一驱动器电路与所述正电荷泵器件可操作地耦接的N型金属氧化物半导体场效应晶体管器件，以及经由第二驱动器电路与所述负电荷泵可操作地耦接的P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第一驱动器电路被配置成提供比由所述第二驱动器电路提供的电压范围高的电压范围。

13.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第二驱动器电路耦接至比正电荷泵电压低且比电池电压低的调节电压，所述第一驱动器电路耦接至比负电荷泵电压高的地电压。

14.根据权利要求11所述的装置，进一步包括:

多个关断电压控制器件，被配置成基于传输门开关的激活或停用而为P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件选择性地提供关断电压。

15.根据权利要求11所述的装置，其中，所述p型金属氧化物半导体场效应晶体管器件是第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件，

所述装置进一步包括:

第二P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件，被配置成在禁用所述传输门开关时为所述第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件提供选自一组电压中的电压，所述一组电压包括多于两个的电压并包括正电荷泵电压。

16.根据权利要求11所述的装置，其中，所述传输门开关用作信号穿过器件。

17.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第二驱动器电路被配置成为所述p型金属氧化物半导体场效应晶体管器件提供调节电压以停用所述传输门开关，所述正电荷泵电压的大小大于所述调节电压的大小的1.5倍。