[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件有效
申请号: | 201310067465.4 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN103295922B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 高桥典之 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 李兰,孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
2012年3月2日提交的日本专利申请No.2012-046329的公开,包含说明书、附图和摘要,以其整体作为参考并入本文中。
技术领域
本发明涉及半导体器件及其制造技术,并且更具体地,涉及有效应用于具有利用由橡胶制成的密封体覆盖的半导体芯片的半导体器件的技术。
背景技术
日本未审查专利公布No.平4(1992)-157757(专利文献1)公开了:利用铝帽覆盖安装在印刷基板上的半导体器件,然后从帽的中心充入树脂。
日本未审查专利公布No.2010-80931(专利文献2)公开了:电子组件布置在由热沉和盖形成的内部空间中,然后在内部空间中填充树脂。
[相关技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]
日本未审查专利公布No.平4(1992)-157757
[专利文献2]
日本未审查专利公布No.2010-80931
发明内容
本申请的发明人研究了包括利用树脂密封的半导体芯片的所谓树脂密封半导体器件(半导体封装),并发现了如下问题。也就是,当树脂密封半导体器件暴露于高温气氛(例如,在约175至250℃的温度下)中时,由树脂制成的树脂密封体表面老化,这降低了半导体器件的可靠性。
已经鉴于前述问题提出了在本申请中公开的发明的优选实施例,并且本发明的目的是提供一种用于提高半导体器件可靠性的技术。
由本申请的描述和附图,本发明要解决的其它问题和本发明的新特征将变得更明显。
下面将简要描述本申请中公开的本发明的典型实施例的概要。
也就是,在根据本申请的一个方面的半导体器件制造方法中,在定位盖以便覆盖半导体芯片和导线之后,将树脂供应到由该盖形成的空间中,使得形成密封体,以覆盖半导体芯片和导线。在形成密封体的步骤中,在平面图中树脂是从盖的中心供应的。
在根据本申请的另一方面的半导体器件的制造方法中,在形成用于密封半导体芯片和导线的密封体之后,布置盖以覆盖密封体。该盖包括第一盖部件和第二盖部件,该第二盖部件通过叠加在第一盖部件上方,形成用于在其中容纳密封体的空间。在平面图中,布置在第一盖部件和第二盖部件外围上的接合部分在其整个外围上被密封。
如下将简要描述在本申请中公开的发明的典型实施例造成的效果。
本申请中公开的本发明的典型实施例能够提高半导体器件的可靠性。
附图说明
图1是示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的上表面的平面图;
图2是示出图1中所示的半导体器件的下表面的平面图;
图3是图1所示半导体器件的侧面图;
图4是沿着图1的线A-A的截面图;
图5是沿着图1的线B-B的截面图;
图6是通过图1示出的半导体器件的上帽示出内部结构的透视平面图;
图7是示出图6中所示结构的一部分的放大平面图;
图8是示出图4或5中所示的帽的截面图;
图9是沿着图6的线A-A的截面图;
图10是示出图1中所示的半导体器件的组装流程图的说明图;
图11是图10中示出的引线框设置步骤中设置的引线框的整个结构的平面图;
图12是图11中示出的多个产品形成区中的一个和其周围的放大平面图;
图13是沿着图12的线A-A的放大截面图;
图14是示出在图12中所示的管芯垫上经由粘合剂安装的半导体芯片的状态的放大平面图;
图15是沿着图14的线A-A的放大截面图;
图16是示出在图14中示出的半导体芯片上经由粘合剂安装另一个半导体芯片的状态的放大平面图;
图17是沿着图16的线A-A的放大截面图;
图18是示出图16中示出的半导体芯片经由导线电连接到多个引脚的状态的平面图;
图19是沿着图18的线A-A的放大截面图;
图20是示出在图18所示的引脚上接合和固定帽的状态的放大平面图;
图21是沿着图20的线A-A的放大截面图;
图22是示出图20中所示的引线框的顶部和底部翻转的状态的放大平面图;
图23是沿着图22的线A-A的放大截面图;
图24是示出在图18所示的帽和引脚上涂覆密封剂的状态的放大平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造