[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件有效
申请号: | 201310067465.4 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN103295922B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 高桥典之 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 李兰,孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:
(a)提供引线框,所述引线框具有芯片安装部件和围绕所述芯片安装部件布置的多个引脚;
(b)在所述步骤(a)之后,在所述芯片安装部件上安装半导体芯片,所述半导体芯片具有前表面、形成在所述前表面上的多个电极、和与所述前表面相反的后表面;
(c)在所述步骤(b)之后,经由多条导线使所述引脚与所述半导体芯片的所述电极电连接;
(d)在所述步骤(c)之后,布置盖以便覆盖所述半导体芯片和所述导线,并且通过密封剂使所述盖接合到所述引脚;以及
(e)在所述步骤(d)之后,在所述半导体芯片布置在所述盖中的情况下,将树脂供应到所述盖的内部的空间中,从而利用所述树脂密封所述导线和所述半导体芯片,
其中所述盖在平面图中的形状由具有第一角的四角形构成,
其中在所述步骤(d)中,利用所述密封剂的一部分填充所述引脚中的相邻引脚之间的间隙,并且
其中在所述步骤(e)中,从没有利用所述密封剂填充的所述第一角将所述树脂供应到所述空间中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中所述盖由金属制成,并且
其中在所述步骤(d)中,所述盖和所述引脚经由由绝缘材料制成的所述密封剂接合在一起,使得所述盖不与所述引脚接触。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中所述步骤(d)包括以下步骤:
(d1)提供第一盖部件,所述第一盖部件包括第一凹进部和围绕所述第一凹进部提供的第一凸部,布置所述第一盖部件以覆盖所述半导体芯片和所述导线,并且然后经由第一密封剂将所述第一盖部件接合到所述引脚;以及
(d2)提供第二盖部件,所述第二盖部件包括第二凹进部和围绕所述第二凹进部提供的第二凸部,布置所述第二盖部件以使所述第一凹进部与所述第二凹进部相对,并且然后经由第二密封剂将所述第二盖部件接合到所述引脚。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法,其中在所述步骤(d2)中,所述密封剂被嵌入在所述引脚中的相邻引脚之间。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中在所述步骤(e)中,所述盖的内部的气体从所述盖的除了所述第一角之外的第二角排出。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中第一悬置引脚被连接至在所述步骤(a)中提供的所述引线框的所述芯片安装部件,并且
其中所述第一悬置引脚在所述第一角和所述芯片安装部件之间被分支成多个部分,以便避开所述第一角。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中在所述步骤(e)中,供应所述树脂以便将所述树脂粘合到所述盖的内表面。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中在所述步骤(e)中,向容纳在模塑模具的腔中的所述盖供应所述树脂,并且使比所述模塑模具和所述盖软的树脂膜介于所述模塑模具和所述盖之间。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中在所述步骤(e)中,将所述引线框定位在减压室中,并且将所述树脂供应到所述盖中。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中在所述步骤(e)中,在利用所述树脂填充所述盖的内部之后,将比供应所述树脂的压力高的压力施加到所述盖的内部。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中在所述步骤(e)中,所述引脚中的相邻引脚经由由绝缘材料制成的所述密封剂连接在一起。
12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中将第一盖部件预先接合到在所述步骤(a)中提供的所述引线框,所述第一盖部件由具有所述芯片安装部件的、在平面图中为四角形的平板形成,
其中经由第一密封剂围绕所述芯片安装部件接合所述引脚,并且
其中在所述步骤(d)中,提供第二盖部件,所述第二盖部件包括凹进部和围绕所述凹进部提供的凸部,并且将所述第二盖部件布置为使得所述第一盖部件的外围重叠在所述第二盖部件的外围上,从而经由第二密封剂将所述第二盖部件接合到所述引脚。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310067465.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可控双向偏转的灌注电生理导管
- 下一篇:用于镍氢电池的电解质膜的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造