[发明专利]半导体封装结构与其制造方法在审
申请号: | 201310066620.0 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN104022086A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 粘为裕;黄国峰 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H01L23/31 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 与其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明有关于一种半导体封装结构,且特别是有关于具有加热层的半导体封装结构。
背景技术
目前的电子系统或电子装置大多包括有多个半导体封装结构。一般而言,半导体封装结构包括多个装设于基板的电子元件,并且依照工艺需求而设计不同的电性连接方式。当电子系统或电子装置运作时,这些电子元件需达到其操作温度。
一般而言,为使电子系统或电子装置在其工作温度正常的情况下运作,通常会于电子系统或电子装置配置加热系统,以使电子系统或电子装置的温度达到操作温度。关于现有的电子系统或电子装置,常见的加热系统是以管状或是平面式的灯管提供热能至电子元件,从而电子元件可通过此热能而升温至操作温度。
不过,随着电子系统或电子装置的轻薄化,半导体封装结构的设计也越趋密集化以及复杂化,使得半导体封装结构趋于微小化,因此,加热系统的装设难度也提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体封装结构,其所具有的加热层可以提供热能至电子元件。
本发明实施例提供一种半导体封装结构,所述半导体封装结构包括基板、至少一电子元件加热层、绝缘层以及电磁遮蔽层。基板包括第一接垫以及第二接垫,电子元件装设于基板上,加热层位于电子元件之上,且提供一热能 至电子元件,且加热层与第一接垫以及第二接垫电性连接,电磁遮蔽层位于加热层之上,而绝缘层位于加热层与电磁遮蔽层之间。
综上所述,所述半导体封装结构具有加热层。当外部电源施加于所述加热层时,利用电能转换成热能的效应,加热层能产生热能,使得电子元件可通过此热能而升温至操作温度。
为了能更进一步了解本发明为达成既定目的所采取的技术、方法及功效,请参阅以下有关本发明的详细说明、图式,相信本发明的目的、特征与特点,当可由此得以深入且具体的了解,然而所附图式与附件仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制者。
附图说明
图1A是本发明第一实施例的半导体封装结构的俯视示意图。
图1B是图1A中沿线P-P剖面所绘示的剖面示意图。
图2是本发明第二实施例的半导体封装结构的剖面示意图。
其中,附图标记说明如下:
100、200半导体封装结构
110基板
112第一接垫
114第二接垫
120电子元件
130、230加热层
140、240绝缘层
150、250电磁遮蔽层
160传热层
260模封层
C1空腔
具体实施方式
在随附图式中展示一些例示性实施例,而在下文将参阅随附图式以更充分地描述各种例示性实施例。值得说明的是,本发明概念可能以许多不同形式来体现,且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。具体来说,提供诸等例示性实施例使得本发明将为详尽且完整,且将向本领域技术人员充分传达本发明概念的范畴。在每一图式中,可为了清楚明确而夸示层及区的大小及相对大小,而且类似数字指示类似元件。
虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件,但此等元件不应受此等术语限制。此等术语乃用以区分一元件与另一元件,因此,下文论述的第一元件可称为第二元件而不偏离本发明概念的教示。另外,本文中可能使用术语“及/或”,此乃指示包括相关联的列出项目中的任一及一或多的所有组合。
本发明的半导体封装结构是利用加热层来加热电子元件,使得电子元件可在低温环境中维持正常的运作功能。本发明的半导体封装结构包括多种实施例,以下将配合图1至图2来说明上述半导体封装结构。
[第一实施例]
图1A为本发明实施例的半导体封装结构的俯视示意图,图1B是图1A中沿线P-P剖面所绘示的剖面示意图。请参阅图1A与图1B,半导体封装结构100包括基板110、电子元件120、加热层130、绝缘层140以及电磁遮蔽层150。电子元件120装设(mount)于基板110上方,加热层130位于电子元件120的四周及上方,而且加热层130与基板110电性连接,电磁遮蔽层150位于加热层130之上,而绝缘层140位于加热层130与电磁遮蔽层150之间。
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