[发明专利]半导体封装结构与其制造方法在审
| 申请号： | 201310066620.0 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022086A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 粘为裕;黄国峰 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 与其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于该半导体封装结构包括：
基板，包括第一接垫以及第二接垫；
至少一电子元件，装设于该基板上；
加热层，位于该电子元件的四周及上方，该加热层提供热能至该电子元件，且该加热层与该第一接垫以及该第二接垫电性连接；以及
电磁遮蔽层，位于该加热层的外侧；
绝缘层，位于该加热层与该电磁遮蔽层之间。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该第一接垫连接外部电源，而该第二接垫为接地接垫。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该半导体封装结构还包括模封层，该模封层位于该电子元件与该加热层之间，且该模封层包覆该电子元件。
4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于该加热层通过该模封层以提供热能至该电子元件。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该加热层与该电子元件之间形成空腔。
6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该半导体封装结构还包括传热层，该传热层位于该电子元件上方，并且与该电子元件以及该加热层接触。
7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该第一接垫以及该第二接垫配置于该基板的表面。
8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该第一接垫以及该第二接垫配置于该基板的侧面。
9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该电磁遮蔽层为金属盖。
10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该电磁遮蔽层为导电薄膜。
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