[发明专利]多重图形的形成方法

权利要求书

1.一种多重图形的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀材料层；

在所述待刻蚀材料层上形成若干分立的第一硬掩膜层；

形成位于所述第一硬掩膜层周围的第一侧墙；

形成位于所述第一侧墙周围的第二侧墙，所述第二侧墙与所述第一侧墙的材料不同；

重复上述形成第一侧墙和第二侧墙的工艺若干次，在所述第一硬掩膜层周围形成第一侧墙和第二侧墙相间隔的多层侧墙结构；

去除所述第一硬掩膜层和所述第二侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述待刻蚀材料层，形成目标图形。

2.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀材料层为半导体层，所述目标图形作为半导体鳍部。

3.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，所述多层侧墙结构的最外层为第一侧墙。

4.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，重复形成第一侧墙和第二侧墙工艺的次数为1～100。

5.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，还包括在所述待刻蚀材料层上形成第一硬掩膜层之前，在所述待刻蚀材料层上形成第二硬掩膜层。

6.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，形成位于所述第一硬掩膜层周围的第一侧墙的工艺包括：形成覆盖所述第一硬掩膜层的第一侧墙材料层；回刻蚀所述第一侧墙材料层，位于所述第一硬掩膜层周围的第一侧墙材料层构成第一侧墙。

7.如权利要求6所述的多重图形的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙材料层的工艺为原子层沉积。

8.如权利要求6所述的多重图形的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述第一侧墙材料层的工艺为干法刻蚀。

9.如权利要求6所述的多重图形的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的宽度范围为5nm～20nm。

10.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，形成位于所述第一侧墙周围的第二侧墙的工艺包括：形成覆盖所述第一硬掩膜层和所述第一侧墙的第二侧墙材料层；回刻蚀所述第二侧墙材料层，位于所述第一侧墙周围的第二侧墙材料层构成第二侧墙。

11.如权利要求10所述的多重图形的形成方法，其特征在于，形成所述第二侧墙材料层的工艺为原子层沉积。

12.如权利要求10所述的多重图形的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述第二侧墙材料层的工艺为干法刻蚀。

13.如权利要求10所述的多重图形的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的宽度范围为10nm～50nm。

14.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述第一硬掩膜层和所述第二侧墙前，研磨所述第一硬掩膜层、所述第一侧墙和所述第二侧墙，去除部分所述第一硬掩膜层、部分所述第一侧墙和部分所述第二侧墙。

15.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙与所述第一侧墙的刻蚀选择比大于100:1。

16.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层的高度范围为20nm～100nm。

17.如权利要求1所述的多重图形的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙与所述第一硬掩膜层的材料相同。

18.如权利要求17所述的多重图形的形成方法，其特征在于，去除所述第一硬掩膜层和去除所述第二侧墙的工艺在同一步骤中完成。