[发明专利]一种利用气相沉积工艺制备纳米金的方法无效
申请号: | 201310064454.0 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103128303A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 宋西平;窦娜娜;王涵;张蓓 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | B22F9/12 | 分类号: | B22F9/12;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 沉积 工艺 制备 纳米 方法 | ||
技术领域
本发明属于纳米金属材料制备领域,涉及一种利用气相沉积工艺制备纳米金的方法。
背景技术
由于纳米金具有特殊的稳定性、生物亲和性、催化性以及表面等离子共振效应等优点,在光学元件、生物医学、太阳能电池、信息存储催化剂等很多领域有较广应用前景。
目前制备纳米金的方法主要有液相合成法、电化学法、生物模板法、微波合成法、超声化学法、紫外合成法等,大部分水相合成法具有需要加稳定剂,反应速度快,可控性差等缺点。除此之外,文献[1](Haruta M. Size- and Support-Dependency in the Catalysis ofGold, Catal today, 1997,36:153~166)最早采用共沉淀(CP)法和沉积沉淀(DP)法成功制备氧化物负载的纳水金催化剂。但该法的缺点是不能保证所有的金纳米粒,均匀分散在载体表面,因而降低了金的利用率。文献[2](Ivanova S,Petit C, Pitchon V. A new preparation method for the formation of gold nanopaticles on an oxide support [J]. Appl Catal A : Gen, 2004,267:19l一201)开发出一种阴离子交换法(Direct Anionic Exchange,DAE)制备纳米金,其原理是利用金络合物的OH基团与载体表面的OH基团发生置换反应,将金以氢氧化金的形式负载于载体表面。实验浓度对制备的催化剂活性有较大影响。文献[3](Domfnguez M I,Sanchez M,Centeno M A,eta1.CO oxidation over gold—supported catalysts-coated cemmic foam prepared form stainless steel wastes[J].Appl catal A:Gen,2006,302:96一103.)用混合氧化物制备的泡沫作基体材料,用DAE法负载金,用于CO氧化。虽然这种制备方法操作简易,但负载的金沉积量有限,很难应用于一些需较高金沉积量的催化反应。文献[4](Mauick K,Witcomb M J,Scurrell M S.Simplified singlestep synthetic route for the preparation of a highly active gold-based catalyst for COoxidation[J].J Mol Catal A:Chem,2004,215:103-106.)报道了一种新型简易金催化剂制备方法——硼氢化钠还原法。该方法制备的催化剂虽有具有更高的CO氧化活性,但是操作繁琐。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制取纳米金的新工艺,本发明工艺简单、成本低廉,制备周期短,无环境污染。
本发明的具体内容如下:
一种利用气相沉积工艺制备纳米金的方法。其特征在于:以纯度99.99%的金作为原料,以载玻片为基底,溅射不同时间得到不同厚度纳米金薄膜,然后在一定温度和时间范围内进行退火,得到不同尺寸的纳米金颗粒。
其所述载玻片为玻璃载玻片,溅射时间为30s, 温度范围为400℃~600℃,退火时间范围为30min~120min。
本发明详细步骤如下:
1)将洁净的基底放在直流溅射仪中,抽真空,然后充入少量氩气进行一定时间地溅射,得到纳米金薄膜样品。
2)把上面所得到的样品,放入管式炉石英管中,使其位于管式炉的加热区。
3)打开氩气罐阀门与分压表,向石英管中通入氩气,调节气流流速至100cm3/min;通氩气时间为10min以排除石英管内空气;
4)管式炉开始加热,待加热到设定温度(400℃~600℃)后,保温一定时间(30min~120min),然后停止加热,使其炉冷至室温,并停止通入氩气。
5)将退火后的样品取出。样品表面即生成了纳米金颗粒。
本发明的制备系统包括直流溅射仪、管式炉、石英管、载玻片、单晶硅、氩气瓶与分压表等。
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