[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、制备方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体的涉及一种薄膜晶体管阵列基板制备方法、薄膜晶体管阵列基板以及显示装置。

背景技术

近年来，显示技术得到快速的发展，如薄膜晶体管（Th i n Fi l mTrans istor：简称TFT）技术由原来的非晶硅薄膜晶体管发展到现在的低温多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物半导体薄膜晶体管等。而发光技术也由原来的液晶显示（Liquid Crystal Display：简称LCD）技术发展为现在的有机电致发光显示（Organic Light-Emitting Diode:简称OLED）技术。

薄膜晶体管作为显示装置的驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管一般包括在基板1上依次形成的栅电极层2、栅极绝缘层3、有源层4、源漏电极层6、钝化层7以及像素电极层8，所述源漏电极层6与所述像素电极层8通过过孔连接。其中，有源层4采用非晶硅材料形成的TFT剖视图如图1所示，有源层上方为欧姆接触层51；有源层4采用金属氧化物半导体材料形成的TFT剖视图如图2所示，有源层上方为刻蚀阻挡层52。

在上述两种薄膜晶体管中，像素电极层均采用氧化铟锡形成。在薄膜晶体管的制备过程中，为了形成像素电极层的图案，需要先通过溅射方式形成一定厚度的氧化铟锡膜层，然后借助掩模板曝光等光刻工艺将图形转移到氧化铟锡膜层上，造成了像素电极形成材料的浪费。同时，在薄膜晶体管阵列基板的制备过程中，所用到的掩模板的次数越多，则生产效率越低，生产成本越高。

因此，如何进一步减少薄膜晶体管阵列基板的制备过程中构图工艺的次数，提高生产效率，提高像素电极形成材料的利用率，降低生产成本是行业内亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种薄膜晶体管阵列基板制备方法、薄膜晶体管阵列基板以及显示装置，该薄膜晶体管阵列基板制备方法简化了薄膜晶体管阵列基板的生产工艺，提高了像素电极形成材料的利用率。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该薄膜晶体管阵列基板制备方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、钝化层以及像素电极层，所述钝化层通过构图工艺形成包括过孔的结构图案，所述像素电极层通过滴注方式形成在结构图案区域内，所述源漏电极层与所述像素电极层通过过孔连接。

优选的是，在所述钝化层中形成包括过孔的结构图案采用以下构图工艺形成：用半色调掩模板或灰色调掩模板对所述钝化层上方的光刻胶进行曝光处理，对应着形成所述过孔区域处的光刻胶为完全曝光处理，对应着形成所述像素电极层区域处的光刻胶为半曝光处理。

优选的是，所述方法还进一步包括：对所述像素电极层做固化及退火处理。

优选的是，用于形成所述像素电极层的材料为含有铟元素、锡元素以及氧元素的材料，所述含有铟元素、锡元素以及氧元素的材料预先制成溶胶或墨水并灌注于喷嘴中，通过喷嘴滴注在所述结构图案区域内。

优选的是，用于形成所述像素电极层的材料为氧化铟锡溶胶或墨水，所述氧化铟锡溶胶或墨水由以下方法制得：将InCl₃·4H₂O和SnCl₄·5H₂O按1:（1-3）比例溶于水溶液中；

或者，将In₂O₃和SnCl₄·5H₂O按1:（2-6）比例溶于C₂H₅COOH中。

优选的是，所述像素电极层退火处理的温度范围为300-600℃。

进一步优选的是，所述像素电极层的厚度范围为20-150nm。

优选的是，所述钝化层采用硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物、铝氧化物中的至少两种材料形成单层膜层或多层复合膜层，所述钝化层的厚度范围为300-500nm。

一种薄膜晶体管阵列基板，采用上述的薄膜晶体管阵列基板制备方法形成。

一种显示装置，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。

本发明的有益效果是：采用本发明所述的薄膜晶体管阵列基板制备方法，相比现有技术中薄膜晶体管阵列基板的形成，减少了采用构图工艺形成像素电极层的步骤，减少了掩模板的使用量，提高像素电极形成材料的利用率，同时降低了生产成本。

附图说明

图1为现有技术中薄膜晶体管阵列基板的剖视图（采用非晶硅材料形成有源层）；