[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、制备方法以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、钝化层以及像素电极层，其特征在于，所述钝化层通过构图工艺形成包括过孔的结构图案，所述像素电极层通过滴注方式形成在结构图案区域内，所述源漏电极层与所述像素电极层通过过孔连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述钝化层中形成包括过孔的结构图案采用以下构图工艺形成：用半色调掩模板或灰色调掩模板对所述钝化层上方的光刻胶进行曝光处理，对应着形成所述过孔区域处的光刻胶为完全曝光处理，对应着形成所述像素电极层区域处的光刻胶为半曝光处理。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：对所述像素电极层做固化及退火处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，用于形成所述像素电极层的材料为含有铟元素、锡元素以及氧元素的材料，所述含有铟元素、锡元素以及氧元素的材料预先制成溶胶或墨水并灌注于喷嘴中，通过喷嘴滴注在所述结构图案区域内。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，用于形成所述像素电极层的材料为氧化铟锡溶胶或墨水，所述氧化铟锡溶胶或墨水由以下方法制得：将InCl₃·4H₂O和SnCl₄·5H₂O按1:（1-3）比例溶于水溶液中；

或者，将In₂O₃和SnCl₄·5H₂O按1:（2-6）比例溶于C₂H₅COOH中。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述像素电极层退火处理的温度范围为300-600℃。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述像素电极层的厚度范围为20-150nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层采用硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物、铝氧化物中的至少两种材料形成单层膜层或多层复合膜层，所述钝化层的厚度范围为300-500nm。

9.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管阵列基板制备方法形成。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板。