[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置技术领域，尤其涉及一种用于消除静电击伤的阵列基板及其制造方法。

背景技术

目前，液晶显示器以高清晰度、真彩视频显示、外观轻薄、耗电量少、无辐射等优点而逐渐成为显示设备发展的主流。液晶显示器通常包括用于显示画面的液晶显示面板和用于向液晶显示面板提供信号的电路部分。液晶显示面板又通常包括彩膜基板和阵列基板，它们通过框胶彼此粘接并由间隙隔开，而液晶材料注入到彩膜基板和阵列基板之间的空隙中。

在阵列基板上面形成有多条栅极线和多条数据线，其中多条栅极线相互平行且以固定的间隔彼此分开，并沿着第一方向延伸，而多条数据线也相互平行且以固定的间隔彼此分开，并沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，所述栅极线和数据线相互交叉限定出多个像素单元，在像素单元中设置有多个像素电极，以及与像素电极连接的薄膜晶体管(TFT)，所述TFT能够根据提供给相应的每条栅极线的信号而将来自相应的数据线的信号发送给对应的每个像素电极，进而控制液晶分子的转向。在阵列基板的制造过程中，基板的搬送、取向膜涂布以及取向摩擦等工艺流程中，常会产生较大的静电，阵列基板通常采用玻璃基板，这些静电能够在玻璃上聚集，对阵列基板产生静电损害。尤其在像素单元内，由于数据线与栅极线或者公共线之间的距离较近，更加容易发生静电击伤。

公开号为US6654074B1的美国专利公开了一种带有静电保护结构的阵列基板，其做法是在显示区外围设置短路棒，通过半导体层将数据线的静电泄放到短路棒上。但现有技术中消除静电击伤的方法容易增大液晶显示装置的尺寸，并且增加了工艺的复杂性。

发明内容

本发明的目的在于提出一种阵列基板、液晶显示装置及其制造方法，能够消除像素区内的静电击伤。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种阵列基板，包括基板，在基板上的多个像素区；设置在所述像素区中的像素电极；数据线，用于给相应的所述像素电极传送数据信号；栅极线，用于给相应的所述像素电极传送扫描信号；公共电极线，所述公共电极线与所述像素电极构成存储电容；薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极与所述栅极线相连，该薄膜晶体管中的源极与所述数据线连接；连接线，设置于所述数据线与公共电极之间，且所述数据线通过所述连接线与所述公共电极线连接在一起。

进一步地，所述连接线包括第一连接线和第二连接线，其中第一连接线的一端直接与数据线相连，另一端通过第二连接线与公共电极线连接。

进一步地，所述数据线与第二连接线采用同层材料。

进一步地，所述薄膜晶体管中还包括沟道层，该沟道层与所述第一连接线采用同层材料。

进一步地，所述第一连接线的材料为非晶硅。

本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极线和公共电极线；

在所述栅极线和公共电极线上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成沟道层和第一连接线；

形成薄膜晶体管的源漏极、第二连接线以及与薄膜晶体管的源极连接的数据线，其中，所述数据线通过所述第一连接线和第二连接线与所述公共电极线连接在一起；

形成保护层；在所述保护层上形成像素电极层。

进一步地，所述第一连接线的材料为非晶硅。

进一步地，所述栅绝缘膜上形成沟道层和第一连接线的步骤包括：在栅绝缘膜上形成非晶硅层，图案化所述非晶硅层，形成薄膜晶体管的沟道层和第一连接线。

进一步地，形成薄膜晶体管的源漏极、第二连接线以及与薄膜晶体管的源极连接的数据线，其中，所述数据线通过所述第一连接线和第二连接线与所述公共电极线连接在一起的步骤还包括：在所述公共电极线上的栅极绝缘膜中形成接触孔开口，之后形成第二连接线，所述第二连接线通过接触孔连接所述公共电极线与所述第一连接线。

进一步地，所述形成第二连接线的步骤还包括：在沟道层上形成第二金属层，图案化所述第二金属层，形成所述数据线、薄膜晶管的源漏极以及连接公共电极线与第一连接线的第二连接线。

进一步地，在所述基板上形成栅极线和公共电极线的步骤还包括：在所述基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层，形成栅极线和公共电极线。

与现有技术相比，本发明的优点在于能够有效地消除数据线与公共电极线之间的静电击伤，并且不增加工艺的复杂度。

附图说明

图1是本发明具体实施方式1提供的阵列基板结构的俯视示意图。