[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板，在基板上的多个像素区；设置在所述像素区中的像素电极；数据线，用于给相应的所述像素电极传送数据信号；栅极线，用于给相应的所述像素电极传送扫描信号；公共电极线，所述公共电极线与所述像素电极构成存储电容；薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极与所述栅极线相连，该薄膜晶体管中的源极与所述数据线连接；连接线，设置于所述数据线与公共电极线之间，且所述数据线通过所述连接线与所述公共电极线连接在一起；所述连接线包括第一连接线和第二连接线，其中第一连接线的一端直接与数据线相连，另一端通过第二连接线与公共电极线连接；所述薄膜晶体管中还包括沟道层，该沟道层与所述第一连接线采用同层材料。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线与第二连接线采用同层材料。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接线的材料为非晶硅。

4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极线和公共电极线；

在所述栅极线和公共电极线上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成沟道层和第一连接线；

形成薄膜晶体管的源漏极、第二连接线以及与薄膜晶体管的源极连接的数据线，其中，所述数据线通过所述第一连接线和第二连接线与所述公共电极线连接在一起；

形成保护层；在所述保护层上形成像素电极层；

所述第一连接线与所述沟道层采用同层材料。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一连接线的材料为非晶硅。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅绝缘膜上形成沟道层和第一连接线的步骤包括：在栅绝缘膜上形成非晶硅层，图案化所述非晶硅层，形成薄膜晶体管的沟道层和第一连接线。

7.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，形成薄膜晶体管的源漏极、第二连接线以及与薄膜晶体管的源极连接的数据线，其中，所述数据线通过所述第一连接线和第二连接线与所述公共电极线连接在一起的步骤还包括：在所述公共电极线上的栅极绝缘膜中形成接触孔开口，之后形成第二连接线，所述第二连接线通过接触孔连接所述公共电极线与所述第一连接线。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述形成第二连接线的步骤还包括：在沟道层上形成第二金属层，图案化所述第二金属层，形成所述数据线、薄膜晶管的源漏极以及连接公共电极线与第一连接线的第二连接线。

9.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述基板上形成栅极线和公共电极线的步骤还包括：在所述基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层，形成栅极线和公共电极线。