[发明专利]存储器、修复系统与其测试方法无效

专利信息
申请号: 201310062173.1 申请日: 2007-09-04
公开(公告)号: CN103177770A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 廖惇雨;陈宗申 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C29/44;G06F11/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 修复 系统 与其 测试 方法
【说明书】:

本申请是申请日为2007年9月4日,申请号为200710149008.4,发明名称为“存储器、修复系统与其测试方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明有关于一种存储器,且特别是有关于一种可用来改善合格率并可可快速测试的存储器。

背景技术

存储器的制造包括一测试存于存储器内的数据的步骤。图1表示一存储器阵列110与用以测试存储器阵列110的一测试器120。测试器120包括一比较器121与一数据缓冲存储器122。一原始数据D0(未表示)被写入至存储器阵列120中的每个待测试的存储单元。数据缓冲存储器122亦存储一参考数据D2,其为原始数据D0的正确复制数据。当一输入地址AI提供给存储器阵列110与数据缓冲存储器122时,由对应输入地址AI的存储单元所读取到的测试数据D1与数据缓冲存储器122中的对应参考数据D2被分别被输入至比较器121。比较器121将对应参考数据D2与测试数据D1进行比较,并输出一输出信号So,以指出原始数据D0是否被正确地存储于对应输入地址AI的存储单元中,以决定存储单元为正确与否。

然而,随着存储器阵列的存储容量越来越大,以传统测试器一个一个测试存储器阵列中的存储单元会变得十分耗时。此外,数据缓冲存储器122的存储容量亦需大幅增加。因此,如何提供一个可较有效率地被测试的存储器,乃本领域所致力的目标。

发明内容

本发明有关于一种存储器。在测试该存储器的存储单元期间,只要该存储器的错误校正码单元能够正确地校正由存储单元读取出来的测试数据中的错误,该存储单元即可被判定为测试通过。因此,应用该存储器可以有效改善合格率。

根据本发明的第一方面,提出一种存储器。该存储器包括一存储器阵列、一错误校正码(Error correct code,ECC)单元与一比较器。存储器阵列包括至少一存储单元。该存储单元被写入并存储至少一原始数据。错误校正码单元用以从存储单元读取出至少一测试数据。若该测试数据出现一错误,则错误校正码单元即校正该测试数据。错误校正码单元并据以输出一错误校正数据。比较器用以判定原始数据是否与错误校正数据相同,并输出一输出信号来指示存储单元为测试成功与否。

根据本发明的第二方面,提出一种测试方法,用以测试一存储器的至少一存储单元。该方法包括:首先,将至少一原始数据写入至存储单元中。的后,由存储单元读取出至少一测试数据,并对该测试数据执行错误校正码运算,并据以输出至少一错误校正数据。接着,决定错误校正数据是否与原始数据相等,以决定存储单元为测试成功与否。

为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举一较佳实施例,并配合附图,详细说明如下:

附图说明

图1表示一存储器阵列与用以测试存储器阵列的一测试器。

图2表示依据本发明实施例的存储器的方块图。

图3表示并行测试数个具有图2的存储器的存储器的方块图。

图4表示依照本发明实施例的测试方法,用以测试图2的存储器。

主要元件符号说明

110、210:存储器阵列

120、310:测试器

121、230:比较器

122:数据缓冲存储器

211~21N:存储单元

220:错误校正码单元

240:错误记录单元

321~32M:存储器

具体实施方式

图2表示依据本发明实施例的存储器的方块图。请参考图2。存储器200包括一存储器阵列210、一错误校正码(Error correct code,ECC)单元220与一比较器230。

存储器阵列210包括存储单元211至21N。N为一正整数。一原始数据Dg(未表示)依据输入地址Ad被写入至每个存储单元。其中,存于存储单元211至21N的数据被定义为测试数据Dt。错误校正码单元220用以读取测试数据Dt,并执行一错误校正码运算。当一错误出现于测试数据Dt,错误校正码单元220执行错误校正码运算来校正测试数据Dt,并据以输出一错误校正数据De。

比较器230比较错误校正数据De与原始数据Dg,并输出一输出信号So来指示错误校正数据De否与原始数据Dg相同。如此一来,即可判断存储单元211至21N是否可以正确地被存取原始数据Dg,以决定存储单元211至21N正确与否。

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