[发明专利]封装基板、半导体封装件及其制法无效

专利信息
申请号: 201310059642.4 申请日: 2013-02-26
公开(公告)号: CN103972204A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 张仕育;蔡国清 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 半导体 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种封装基板,其包括:

基板本体;

第一绝缘保护层,其形成于该基板本体的表面上,该基板本体的表面定义有一环绕该第一绝缘保护层的接合区,且该第一绝缘保护层的外缘侧壁与该接合区之间的距离大于或等于0.05毫米;以及

第一线路层,其形成于该第一绝缘保护层下的基板本体的表面上,且具有多个延伸至该接合区内的第一电性接触垫。

2.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该封装基板还包括第二线路层,其形成于该接合区外的表面上,且具有多个延伸至该接合区内的第二电性接触垫。

3.根据权利要求2所述的封装基板,其特征在于,该封装基板还包括第二绝缘保护层,其形成于该接合区外的表面与第二线路层上,且该第二绝缘保护层的内缘侧壁与该接合区之间的距离大于或等于0.3毫米。

4.一种半导体封装件,其包括:

基板本体;

第一绝缘保护层,其形成于该基板本体的表面上,该基板本体的表面定义有一环绕该第一绝缘保护层的接合区,且该第一绝缘保护层的外缘侧壁与该接合区之间的距离大于或等于0.05毫米;

第一线路层,其形成于该第一绝缘保护层下的基板本体的表面上,且具有多个延伸至该接合区内的第一电性接触垫;

多个导电组件,各该导电组件设于该接合区内的第一电性接触垫上;

半导体芯片,其通过该多个导电组件覆晶接置于该基板本体上;以及

底部填充材,其形成于该基板本体与该半导体芯片之间,且包覆该第一线路层、第一绝缘保护层与该等导电组件。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括第二线路层,其形成于该接合区外的表面上,且具有多个延伸至该接合区内的第二电性接触垫。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其特征在于,该导电组件还设于该接合区内的第二电性接触垫上。

7.根据权利要求5所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括第二绝缘保护层,其形成于该接合区外的表面与该第二线路层上,且该第二绝缘保护层的内缘侧壁与该接合区之间的距离大于或等于0.3毫米。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其特征在于,该底部填充材覆盖或未覆盖该第二绝缘保护层。

9.根据权利要求4所述的半导体封装件,其特征在于,该底部填充材为底胶或非导电膏。

10.根据权利要求4所述的半导体封装件,其特征在于,该导电组件为焊料凸块。

11.一种半导体封装件的制法,包括:

提供一封装基板,其包括:

基板本体;

第一绝缘保护层,其形成于该基板本体的表面上,该基板本体的表面定义有一环绕该第一绝缘保护层的接合区,且该第一绝缘保护层的外缘侧壁与该接合区之间的距离大于或等于0.05毫米;以及

第一线路层,其形成于该第一绝缘保护层下的基板本体的表面上,且具有多个延伸至该接合区内的第一电性接触垫;

于该第一绝缘保护层上形成底部填充材;以及

通过多个导电组件将一半导体芯片覆晶接置于该基板本体上,各该导电组件设于该接合区内对应的第一电性接触垫上,该底部填充材受到该半导体芯片挤压而流动并分布于该基板本体与该半导体芯片之间,使该底部填充材包覆该第一线路层、第一绝缘保护层与该等导电组件。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该封装基板还包括第二线路层,其形成于该接合区外的表面上,且具有多个延伸至该接合区内的第二电性接触垫。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该导电组件还设于该接合区内的第二电性接触垫上。

14.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法,其特征在于,于该接合区外的表面与第二线路层上还形成有第二绝缘保护层,且该第二绝缘保护层的内缘侧壁与该接合区之间的距离大于或等于0.3毫米。

15.根据权利要求14所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该底部填充材覆盖或未覆盖该第二绝缘保护层。

16.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该底部填充材为底胶或非导电膏。

17.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该导电组件为焊料凸块。

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