[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

于2012年3月27日提交的第2012-071077号日本专利申请的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用而结合于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件。

背景技术

随着半导体器件的近来集成，希望减少半导体器件占用的面积。

公开号为Hei11(1999)-103058的日本待审专利描述以下半导体器件。沟槽(槽部)形成于N型高阻层的表面上。栅极电极经过栅极绝缘膜嵌入于沟槽中。以此方式，可以增加沟道的面积而器件面积不变。因而有可能减少接通电阻。

发明内容

发明人已经发现如下新问题：在公开号为Hei11(1999)-103058的日本待审专利的结构中，由于在槽部的末端附近的高电场而难以获得高击穿电压。本发明的其它目的、优点和新颖特征将从本发明的下文具体描述和附图中变得清楚。

根据本发明的一个方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括半导体层、源极区域、漏极区域、源极偏移区域、漏极偏移区域、槽部、栅极绝缘膜、栅极电极和嵌入区域。在半导体层中相互分离地提供第一传导性类型的源极和漏极区域。以比源极区域和漏极区域的浓度更低的浓度形成第一传导性类型的源极偏移区域以接触半导体层的源极区域。以比源极区域和漏极区域的浓度更低的浓度形成第一传导性类型的漏极偏移区域以接触半导体层的漏极区域而从源极偏移区域分离。在平面图中，在半导体层中的源极偏移区域与漏极偏移区域之间的至少一个位置提供槽部。槽部在平面图中在从源极偏移区域到漏极偏移区域的方向上延伸。栅极绝缘膜覆盖槽部的侧部和底部。在平面图中，仅在槽部内提供栅极电极，并且栅极电极接触栅极绝缘膜。与第一传导性类型相反的第二传导性类型的嵌入区域位于比源极区域和漏极区域更深处。

根据本发明的另一方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括半导体层、源极区域、漏极区域、源极偏移区域、漏极偏移区域、槽部、栅极绝缘膜、栅极电极和嵌入区域。在半导体层中相互分离地提供第一传导性类型的源极和漏极区域。以比源极区域和漏极区域的浓度更低的浓度形成第一传导性类型的源极偏移区域以接触半导体层的源极区域。以比源极区域和漏极区域的浓度更低的浓度形成第一传导性类型的漏极偏移区域以接触半导体层的漏极区域而从源极偏移区域分离。在平面图中，在半导体层中的源极偏移区域与漏极偏移区域之间的至少一个位置提供槽部。槽部在平面图中在从源极偏移区域到漏极偏移区域的方向上延伸。栅极绝缘膜覆盖槽部的侧部和底部。栅极电极接触栅极绝缘膜。与第一传导性类型相反的第二传导性类型的嵌入区域位于比源极区域和漏极区域更深处。槽部的底部进入嵌入区域。

根据本发明的该一个方面，有可能提供一种设计成防止电场集中于槽部的末端附近的半导体器件。

附图说明

图1是根据本发明第一实施例的半导体器件的结构的透视图；

图2是根据第一实施例的半导体器件的结构的平面图；

图3A、图3B和图3C是根据第一实施例的半导体器件结构的截面图；

图4A、图4B和图4C是示出制造根据第一实施例的半导体器件的方法的截面图；

图5A、图5B和图5C是示出制造根据第一实施例的半导体器件的方法的截面图；

图6A、图6B和图6C是示出制造根据第一实施例的半导体器件的方法的截面图；

图7A、图7B和图7C是示出制造根据第一实施例的半导体器件的方法的截面图；

图8A、图8B和图8C是示出制造根据第一实施例的半导体器件的方法的截面图；

图9A、图9B和图9C是示出制造根据第一实施例的半导体器件的方法的截面图；

图10A、图10B和图10C是示出制造根据第一实施例的半导体器件的方法的截面图；

图11A、图11B和图11C是示出制造根据第一实施例的半导体器件的方法的截面图；

图12是沿着图3A的线D-D’取得的截面的杂质浓度分布图；

图13是沿着图3A的线E-E’取得的截面的杂质浓度分布图；

图14是根据第一实施例的半导体器件的例子的电路图；

图15是比较例子中的半导体器件的结构的透视图；

图16是比较例子中的电场强度的分布的视图；

图17是根据第一实施例的半导体器件的结构的透视图；

图18是根据第一实施例的半导体器件的电场强度的分布的视图；