[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体层；

在所述半导体层中相互分离地提供的、第一传导性类型的源极区域和漏极区域；

所述第一传导性类型的源极偏移区域以比所述源极区域和所述漏极区域的浓度更低的浓度形成为接触所述半导体层的所述源极区域；

所述第一传导性类型的漏极偏移区域以比所述源极区域和所述漏极区域的浓度更低的浓度形成为接触所述半导体层的所述漏极区域而从所述源极偏移区域分离；

在平面图中的从所述源极偏移区域到所述漏极偏移区域的方向上，在平面图中在所述半导体层中的所述源极偏移区域与所述漏极偏移区域之间的至少一个位置提供的槽部；

栅极绝缘膜，覆盖所述槽部的侧部和底部；

在平面图中仅在所述槽部内提供并且接触所述栅极绝缘膜的栅极电极；以及

与所述第一传导性类型相反的第二传导性类型的嵌入区域，位于比所述源极区域和所述漏极区域更深处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述槽部的所述底部进入所述嵌入区域。

3.一种半导体器件，包括：

半导体层；

在所述半导体层中相互分离地提供的第一传导性类型的源极区域和漏极区域；

所述第一传导性类型的源极偏移区域以比所述源极区域和所述漏极区域的浓度更低的浓度形成为接触所述半导体层的所述源极区域；

所述第一传导性类型的漏极偏移区域以比所述源极区域和所述漏极区域的浓度更低的浓度形成为接触所述半导体层的所述漏极区域而从所述源极偏移区域分离；

在平面图中的从所述源极偏移区域到所述漏极偏移区域的方向上，在平面图中在所述半导体层中的所述源极偏移区域与所述漏极偏移区域之间的至少一个位置提供的槽部；

栅极绝缘膜，覆盖所述槽部的侧部和底部；

栅极电极，接触所述栅极绝缘膜；以及

与所述第一传导性类型相反的第二传导性类型的嵌入区域，位于比所述源极区域和所述漏极区域更深处，

其中所述槽部的所述底部进入所述嵌入区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在平面图中在所述半导体层中的所述源极区域与所述漏极区域之间的场绝缘膜，

其中在平面图中在所述场绝缘膜内提供所述槽部。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中通过硅局部氧化(LOCOS)工艺形成所述场绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在与从所述源极区域到所述漏极区域的方向垂直的方向上提供多个所述槽部。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在所述半导体层之上通过外延生长来形成所述半导体层，并且

其中所述嵌入区域至少形成于从所述半导体衬底的上表面起的深入位置。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中所述槽部的所述底部形成于从所述半导体衬底的所述上表面起的深入位置。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括所述第二传导性类型的阱区域，

其中在截面图中的与所述槽部交叠的位置，在平面图中在所述半导体层中的所述源极偏移区域与所述漏极偏移区域之间的至少一个位置提供所述阱区域，并且

其中以比所述第二传导性类型的所述阱区域的浓度更高的浓度形成所述第二传导性的所述嵌入区域。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述栅极绝缘膜包括热氧化硅膜。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述栅极电极包括多晶硅。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述嵌入区域是N型的并且包括Sb。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述嵌入区域是P型的并且包括B。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

第一晶体管，包括所述第一源极区域、所述第一漏极区域、所述源极偏移区域、所述漏极偏移区域以及在所述槽部中提供的所述第一栅极绝缘膜和所述第一栅极电极；以及

第二晶体管，

其中所述第二晶体管包括：

在所述半导体层中相互分离地提供的、第一传导性类型或者第二传导性类型的第二源极区域和第二漏极区域；

在所述第二源极区域与所述第二漏极区域之间的位置之上提供的第二栅极绝缘膜；以及

在所述第二栅极绝缘膜之上提供的第二栅极电极，并且

其中在平面图中的与所述第一晶体管的位置不同的位置，在与所述第一晶体管相同的半导体层中提供所述第二晶体管。