[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。

有机电致发光器件的结构为三明治结构，在阴极和导电阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中，两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极发出。

在传统的发光器件中，一般都是以氧化铟锡透明导电薄膜（ITO）玻璃基底为出光面，这种结构中，光的出射会先经过ITO导电材料的吸收反射，再进行一次玻璃基底的吸收和反射，最后才能出射到空气中，但是玻璃和ITO界面之间存在折射率差，会使光从ITO到达玻璃时发生全反射，造成出光的损失，从而导致整体出光性能较低。

发明内容

为了解决上述问题，本发明旨在提供一种具有较高出光效率的有机电致发光器件。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、光取出层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述光取出层包括掺杂层和二氧化硅层，所述掺杂层的材质为金属氧化物和硅氧化物组成的混合物，所述二氧化硅层的材质为二氧化硅。

本发明使用的玻璃基底为普通市售玻璃。

在玻璃基底上依次设置掺杂层和二氧化硅层作为光取出层。

掺杂层的材质为在空气中稳定的、具有惰性的金属氧化物和硅氧化物组成的混合物。

优选地，混合物中金属氧化物的质量为硅氧化物质量的5~30%，即金属氧化物和硅氧化物组成的混合物中金属氧化物与硅氧化物的质量比为1~6:20。

优选地，金属氧化物为三氧化二铝（Al₂O₃）、氧化镍（NiO）、二氧化锡（SnO₂）或氧化铜（CuO）。

优选地，掺杂层的厚度为10~500nm。

在玻璃上先制备掺杂层，掺杂层的材质为金属氧化物和硅氧化物的混合物，折射率低，减少了与玻璃基底界面间光的全反射；掺杂层的材质与玻璃成分类似，可以增强界面之间结合能力，由于掺杂层的材质具有晶体结构，晶型尺寸较大，对光有很强烈的散射，可以提高光取出效率，从而提高器件的发光效率；而且性质稳定，不易与氧气反应，提高了器件的稳定性能。

在掺杂层上制备二氧化硅层，可起缓冲作用，使制备阳极的时候，阳极材质不会渗透到掺杂层中破坏掺杂层的结构。

优选地，硅氧化物为一氧化硅（SiO）或二氧化硅（SiO₂）。

阳极设置在二氧化硅层上。

优选地，阳极的材质为透明导电薄膜，选自铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO）。更优选地，阳极的材质为ITO。

优选地，阳极的厚度为80~300nm。更优选地，阳极的厚度为120nm。

在阳极上依次设置空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。

优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。更优选地，空穴注入层的材质为MoO₃。

优选地，空穴注入层的厚度为20~80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为50nm。

优选地，空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺（NPB）。更优选地，空穴传输层的材质为TAPC。

优选地，空穴传输层的厚度为20~60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为40nm。