[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、光取出层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述光取出层包括掺杂层和二氧化硅层，所述掺杂层的材质为金属氧化物和硅氧化物组成的混合物，所述二氧化硅层的材质为二氧化硅。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述硅氧化物为一氧化硅或二氧化硅。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属氧化物为三氧化二铝、氧化镍、二氧化锡或氧化铜。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属氧化物和硅氧化物组成的混合物中金属氧化物与硅氧化物的质量比为1~6:20。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供清洁的玻璃基底；

在所述玻璃基底上通过电子束蒸镀制备光取出层，所述光取出层包括掺杂层和二氧化硅层：

所述掺杂层的制备步骤为，将金属氧化物按照质量分数5~30%加入硅氧化物中，得到金属氧化物和硅氧化物组成的混合物，将所述混合物蒸镀到所述玻璃基底上；

所述二氧化硅层的制备步骤为，将二氧化硅蒸镀到所述掺杂层上；

再在所述二氧化硅层上磁控溅射透明导电薄膜制备阳极，所述磁控溅射的条件为加速电压300~800V，磁场50~200G，功率密度1~40W/cm²；

在所述阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述热阻蒸镀条件为压强5×10^-5~2×10^-3Pa，速度0.1~1nm/s；

在所述电子注入层上热阻蒸镀制备阴极，所述热阻蒸镀条件为压强5×10^-5~2×10^-3Pa，速度1~10nm/s。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子束蒸镀条件为能量密度10~100W/cm²。

7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述硅氧化物为一氧化硅或二氧化硅。

8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为三氧化二铝、氧化镍、二氧化锡或氧化铜。