[发明专利]存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统。

背景技术

存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。存储器（例如，快闪存储器Flash Memory）中的存储单元通常包括四个引线：位线（BL，Bit-Line）、字线（WL，Word-Line）、源线（SL，Source-Line）和基线（SBL，Sub-Line），分别对应耦接MOS晶体管的漏极、栅极、源极和基极。一般，在对存储器的存储单元进行编程（program）操作时，需要对存储单元的各引线施加不同的编程电压。

图1为现有的一种存储阵列的电路结构示意图。参考图1，所述存储阵列包括多个呈阵列排布的存储单元以及用于选择所述存储单元并提供驱动信号的多条字线、位线以及源线。具体地，该存储阵列包含n条字线（WL1，WL2，...，WLn）、m条位线（BL1，BL1，BL3，...，BLm）以及n条源线（SL1，SL2，...，SLn）。所述存储阵列中的存储单元由NMOS管构成，每个NMOS管的栅极、漏极、源极分别与字线、位线、源线连接，其中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线。对存储阵列中的某个存储单元进行编程时，需要对该存储单元连接的字线、位线和源线施加不同的电压，对与该存储单元共用源线但不需要进行编程的存储单元连接的位线施加电压以禁止编程。

例如，以对图1所示的存储单元a进行编程为例，需要对存储单元a连接的字线WL1和位线BL2施加不同的电压，还需要同时对存储单元a连接的源线SL1和与存储单元a共用源线但不需要进行编程的存储单元连接的位线BL1、BL3、…、BLm施加不同的电压。通常，对与存储单元a连接的源线SL1施加的电压取值范围为7V至9V，对与存储单元a连接的位线BL2施加的电压取值范围为0.1V至0.6V，对与存储单元a连接的字线WL1施加的电压取值范围为1.2V至2V，对与存储单元a共用源线但不需要进行编程的存储单元连接的位线BL1、BL3、…、BLm施加的电压的取值范围为2V至3V。

现有技术中，对存储单元a连接的源线SL1和与存储单元a共用源线但不需要进行编程的存储单元连接的位线BL1、BL3、…、BLm施加的电压分别由两个不同的电荷泵电路同时提供。然而，在对存储阵列编程的过程中发现，利用现有的电压提供系统和编程方法编程时，存储阵列中与需要进行编程的存储单元a共用源线、不需要进行编程的存储单元容易出现被误编程的现象。

更多关于存储阵列的编程方法的技术方案可以参考申请号为201010121436.8、发明名称为一种存储器的编程方法的中国专利申请文件。

发明内容

本发明解决的是对存储阵列编程过程中出现的不需要进行编程的存储单元容易被误编程的问题。

为解决上述问题，本发明提供了一种存储阵列的编程方法，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线，所述存储阵列的编程方法包括：在第一时刻，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；在第二时刻，施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第二时刻滞后于所述第一时刻，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用一条源线。

可选的，还包括：在第三时刻，施加第三电压至与所述第二存储单元连接的字线，以及施加第四电压至与所述第二存储单元连接的位线，所述第三时刻超前于所述第一时刻。

可选的，所述第三电压的取值范围为1.2V至2V，所述第四电压的取值范围为0.1V至0.6V。

可选的，所述第二时刻滞后于所述第一时刻5μs至100μs。

可选的，所述第一电压的取值范围为2V至3V。

可选的，所述第二电压的取值范围为7V至9V。

为解决上述问题，本发明还提供了一种电压提供系统，包括：控制电路，适于在第一时刻输出第一控制信号，在第二时刻输出第二控制信号，所述第二时刻滞后于所述第一时刻；第一电荷泵电路，适于接收所述第一控制信号，输出第一电压至与存储阵列中的第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；第二电荷泵电路，适于接收所述第二控制信号，输出第二电压至与所述存储阵列中的第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用一条源线。