[发明专利]存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统有效
申请号: | 201310059142.0 | 申请日: | 2013-02-25 |
公开(公告)号: | CN103137181B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 胡剑;杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12;G11C7/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 存储 阵列 编程 方法 电压 提供 系统 | ||
1.一种存储阵列的编程方法,所述存储阵列中,同一行的存储单元共用一条源线和字线,同一列的存储单元共用一条位线,其特征在于,包括:
第一电荷泵电路在第一时刻开始工作,施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程;
第二电荷泵电路在第二时刻开始工作,施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程,所述第二时刻滞后于所述第一时刻,所述第二存储单元是需要编程的存储单元,所述第一存储单元是与所述第二存储单元共用一条源线但不需要编程的存储单元。
2.根据权利要求1所述的存储阵列的编程方法,其特征在于,还包括:在第三时刻,施加第三电压至与所述第二存储单元连接的字线,以及施加第四电压至与所述第二存储单元连接的位线,所述第三时刻超前于所述第一时刻。
3.根据权利要求2所述的存储阵列的编程方法,其特征在于,所述第三电压的取值范围为1.2V至2V,所述第四电压的取值范围为0.1V至0.6V。
4.根据权利要求1所述的存储阵列的编程方法,其特征在于,所述第二时刻滞后于所述第一时刻5μs至100μs。
5.根据权利要求1所述的存储阵列的编程方法,其特征在于,所述第一电压的取值范围为2V至3V。
6.根据权利要求1所述的存储阵列的编程方法,其特征在于,所述第二电压的取值范围为7V至9V。
7.一种电压提供系统,其特征在于,包括:
控制电路,适于在第一时刻输出第一控制信号,在第二时刻输出第二控制信号,所述第二时刻滞后于所述第一时刻;
第一电荷泵电路,适于接收所述第一控制信号,输出第一电压至与存储阵列中的第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程;
第二电荷泵电路,适于接收所述第二控制信号,输出第二电压至与所述存储阵列中的第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程,所述第一存储单元与所述第二存储单元共用一条源线。
8.根据权利要求7所述的电压提供系统,其特征在于,所述第一控制信号和第二控制信号为时钟驱动信号,或者所述第一控制信号和第二控制信号为使能信号。
9.根据权利要求7所述的电压提供系统,其特征在于,所述第二时刻滞后于所述第一时刻5μs至100μs。
10.根据权利要求7所述的电压提供系统,其特征在于,所述第一电压的取值范围为2V至3V。
11.根据权利要求7所述的电压提供系统,其特征在于,所述第二电压的取值范围为7V至9V。
12.一种存储器,其特征在于,包括:权利要求7至11任一项所述的电压提供系统和存储阵列;所述存储阵列中,同一行的存储单元共用一条源线和字线,同一列的存储单元共用一条位线。
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