[发明专利]一种提高薄膜太阳能电池发电功率的激光划刻方法无效
| 申请号： | 201310058376.3 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103151422A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 姜兑焕 | 申请（专利权）人： | 东旭集团有限公司;成都泰轶斯太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B23K26/36 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 王苑祥 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 薄膜 太阳能电池 发电 功率 激光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高薄膜太阳能电池发电功率的激光划刻方法，本方法是在对前电极TCO膜层（2）进行第一次激光划刻、及对P、I、N层（3）进行第二次激光划刻的过程中实现的，其特征在于：所述的第一次激光划刻的刻蚀深度为一个TCO膜层的厚度，刻蚀轨迹是一条由一组非封闭曲线相连接构成的路径；第二次激光划刻在第一次激光划刻所成的每个非封闭曲线区域内部进行刻蚀，刻蚀深度为一个PIN层的厚度，刻蚀轨迹与非封闭曲线不相通。
2.根据权利要求1所述的一种提高薄膜太阳能电池发电功率的激光划刻方法，其特征在于：所述的非封闭曲线是波峰状曲线、或半圆形曲线、或槽型曲线。
3.根据权利要求1所述的一种提高薄膜太阳能电池发电功率的激光划刻方法，其特征在于：第二次激光划刻的刻蚀轨迹是圆形、或直线型、或矩形、或弧形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
