[发明专利]一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法

权利要求书

1.一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，其特征在于，所述异变外延生长方法具体包括：

S1：在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；

S2：将所述纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；

S3：以所述纳米小球为掩膜，以所述纳米小球间隙为生长窗口进行选区外延，生长外延层材料；

步骤S3具体包括：

S31：以所述纳米小球为掩膜，在所述纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与所述衬底或所述虚拟衬底紧密结合；

S32：增大所述外延层材料的沉积厚度，使所述外延层材料高出纳米小球；

S33：所述外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住所述纳米小球；

S34：降低所述外延层材料的表面粗糙度。

2.如权利要求1所述的异变外延生长方法，其特征在于，衬底材料和所述外延层材料之间晶格失配度超过0.1%。

3.如权利要求1所述的异变外延生长方法，其特征在于，虚拟衬底材料和所述外延层材料之间晶格匹配。

4.如权利要求1所述的异变外延生长方法，其特征在于，所述步骤S1使用尺寸均匀的单分散纳米小球，所述单分散纳米小球的直径在1微米以下。

5.如权利要求1所述的异变外延生长方法，其特征在于，所述S1步骤中的纳米小球间隙是从所述衬底或所述虚拟衬底表面一直贯穿至所述纳米小球顶部，宽度为纳米尺度，深宽比保持在1-10之间。

6.如权利要求1所述的异变外延生长方法，其特征在于，若所述步骤S1中纳米小球间隙小，所述步骤S2中进行扩大纳米小球间隙处理。