[发明专利]一种发光结构

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种具有量子隧穿效应的发光结构。

背景技术

GaN基发光二级管（LED）具有高亮度、低能耗、长寿命、响应速度快等优点，作为新型高效固体光源，在室内照明、景观照明、显示屏、信号指示等领域都有广泛的应用。当电源的正极与LED的正极相连，电源的负极与LED的负极相连，此时的电压为正向电压。正向电压一般包括PN结电压、N型氮化镓电压、P型氮化镓电压及金属-半导体接触电压的总和。

金属-半导体接触是制作半导体器件中十分重要的问题，金属-半导体接触可分为肖特基接触和欧姆接触两种，接触情况直接影响到器件的性能，肖特基接触或欧姆接触产生的电阻会降低器件的出光效率。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种器件出光效率较高的发光结构。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种发光结构，包括依次排布的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及导电材料层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层采用不同类型的半导体材料，所述发光结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二半导体层与所述导电材料层之间，以将所述第二半导体层与所述导电材料层电绝缘。

优选地，所述绝缘层的厚度不大于10nm。

优选地，所述绝缘层采用氧化硅或者氮化硅。

优选地，所述导电材料层采用掺杂的氮化镓、掺杂的碳化硅、掺杂的硅、氧化铟锡、合金或者金属中的一种或者几种的组合。

优选地，所述第一半导体层采用N型半导体材料，所述第二半导体层采用P型半导体材料。

优选地，所述发光结构还包括第一衬底、第一电极和第二电极，所述第一半导体层位于所述第一衬底与所述发光层之间，所述第一电极位于所述第一半导体层之下，所述第二电极位于导电材料层之上。

优选地，所述第一衬底采用蓝宝石、氮化镓、碳化硅或者硅。

优选地，所述发光结构还包括第二衬底、第一电极和第二电极，所述导电材料层位于所述第二衬底与所述绝缘层之间，所述第一电极位于所述第一半导体层之上，所述第二电极位于所述第二衬底之下。

优选地，所述第二衬底采用导电导热材质。

优选地，所述第一半导体层采用P型半导体材料，所述第二半导体层采用N型半导体材料。

根据本发明实施例，在第二半导体层和导电材料层之间增加一薄绝缘层，从而将第二半导体层和导电材料层电绝缘。避免了发光结构中的导电材料层和半导体层直接接触而产生的肖特基接触或者欧姆接触，从而降低了发光结构中的正向串联电阻，进而提高了发光结构整体的出光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例的发光结构的结构示意图；

图2~5是本发明实施例一的发光结构的结构示意图；

图6是本发明实施例二的发光结构的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为提供一种出光效率较高的发光结构，避免发光结构中的肖特基接触或欧姆接触产生的电阻降低器件的出光效率，本申请的发明人经过研究提出以下技术方案。

实施例一