[发明专利]一种发光结构

权利要求书

1.一种发光结构，包括依次排布的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及导电材料层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层采用不同类型的半导体材料，其特征在于，所述发光结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二半导体层与所述导电材料层之间，以将所述第二半导体层与所述导电材料层电绝缘。

2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度不大于10nm。

3.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述绝缘层采用氧化硅或者氮化硅。

4.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述导电材料层采用掺杂的氮化镓、掺杂的碳化硅、掺杂的硅、氧化铟锡、合金或者金属中的一种或者几种的组合。

5.根据权利要求1-4任一项所述的发光结构，其特征在于，所述第一半导体层采用N型半导体材料，所述第二半导体层采用P型半导体材料。

6.根据权利要求5所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构还包括第一衬底、第一电极和第二电极，所述第一半导体层位于所述第一衬底与所述发光层之间，所述第一电极位于所述第一半导体层之下，所述第二电极位于导电材料层之上。

7.根据权利要求6所述的发光结构，其特征在于，所述第一衬底采用蓝宝石、氮化镓、碳化硅或者硅。

8.根据权利要求5所述的发光结构，其特征在于，所述发光结构还包括第二衬底、第一电极和第二电极，所述导电材料层位于所述第二衬底与所述绝缘层之间，所述第一电极位于所述第一半导体层之上，所述第二电极位于所述第二衬底之下。

9.根据权利要求8所述的发光结构，其特征在于，所述第二衬底采用导电导热材质。

10.根据权利要求1-4任一项所述的发光结构，其特征在于，所述第一半导体层采用P型半导体材料，所述第二半导体层采用N型半导体材料。